公开(公告)号：TW201419562A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102143608

申请日：2007-12-07

Applicant: 英特希爾美國公司 ,  INTERSIL AMERICAS INC.

Inventor： 寇尼斯基 亞歷山大 ,  KALNITSKY, ALEXANDER ,  鄭東 ,  ZHENG, DONG ,  瓊斯 喬伊 ,  JONES, JOY ,  林錫堅 ,  LIN, XIJIAN ,  希斯特拉 葛瑞葛里 ,  CESTRA, GREGORY

IPC: H01L31/103 ,  G09G3/34

CPC classification number: H01L27/1443 ,  G09G3/3406 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/103

Abstract: 本文中係描述光感測器，其主要在響應可見光並抑制紅外光。本文中亦描述具有此等光感測器的系統。此一系統可包含一顯示器、一光源以作為該顯示器之背光、與一控制器以控制該光源的亮度，其係基於自該等光感測器接收的回饋來控制。本文亦描述用以控制背光的方法。

Abstract in simplified Chinese: 本文中系描述光传感器，其主要在响应可见光并抑制红外光。本文中亦描述具有此等光传感器的系统。此一系统可包含一显示器、一光源以作为该显示器之背光、与一控制器以控制该光源的亮度，其系基于自该等光传感器接收的回馈来控制。本文亦描述用以控制背光的方法。

公开(公告)号：TWI606601B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW105123722

申请日：2016-07-27

Applicant: 三菱電機股份有限公司 ,  MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION

Inventor： 西村邦彦 ,  NISHIMURA, KUNIHIKO ,  西村慎也 ,  NISHIMURA, SHINYA ,  佐藤剛彦 ,  SATO, TAKEHIKO

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：TW201740546A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW106104222

申请日：2017-02-09

Applicant: 光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX INC.

Inventor： 那允中 ,  NA, YUN CHUNG ,  梁哲夫 ,  LIANG, CHE FU

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/103

Abstract: 一種裝置，包含一半導體基板、一吸收層、一或多個第一開關及一或多個第二開關；吸收層耦接於半導體基板，吸收層包含用以吸收光子並產生複數光載子之一光電二極體區，一第一控制信號控制所述的一或多個第一開關，所述的一或多個第一開關依據第一控制信號來收集一部分的光生載子；一第二控制信號控制所述的一或多個第二開關，所述的一或多個第二開關依據第二控制信號來收集至少一部分的光生載子；第二控制信號不同於第一控制信號。

Abstract in simplified Chinese: 一种设备，包含一半导体基板、一吸收层、一或多个第一开关及一或多个第二开关；吸收层耦接于半导体基板，吸收层包含用以吸收光子并产生复数光载子之一光电二极管区，一第一控制信号控制所述的一或多个第一开关，所述的一或多个第一开关依据第一控制信号来收集一部分的光生载子；一第二控制信号控制所述的一或多个第二开关，所述的一或多个第二开关依据第二控制信号来收集至少一部分的光生载子；第二控制信号不同于第一控制信号。

公开(公告)号：TW201719870A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105127679

申请日：2016-08-29

Applicant: 光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX INC.

Inventor： 那允中 ,  NA, YUN-CHUNG ,  鄭斯璘 ,  CHENG, SZU-LIN ,  陳書履 ,  CHEN, SHU-LU ,  劉漢鼎 ,  LIU, HAN-DIN ,  陳慧文 ,  CHEN, HUI-WEN

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L27/14647 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14652 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H02S40/44

Abstract: 一光學感測器包含一半導體基板、一第一光吸收區、一第二光吸收區及一感測控制信號；第一光吸收區形成於半導體基板上方，並用以吸收具有一第一波段之複數光子並產生複數光載子；第二光吸收區形成於第一吸收區上方，並用以吸收具有一第二波段之複數光子並產生複數光載子；感測控制信號耦接於第二吸收區，並用以提供至少一第一控制準位及一第二控制準位。

Abstract in simplified Chinese: 一光学传感器包含一半导体基板、一第一光吸收区、一第二光吸收区及一传感控制信号；第一光吸收区形成于半导体基板上方，并用以吸收具有一第一波段之复数光子并产生复数光载子；第二光吸收区形成于第一吸收区上方，并用以吸收具有一第二波段之复数光子并产生复数光载子；传感控制信号耦接于第二吸收区，并用以提供至少一第一控制准位及一第二控制准位。

公开(公告)号：TW201607069A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW104114759

申请日：2015-05-08

Applicant: 國立大學法人東北大學 ,  TOHOKU UNIVERSITY

Inventor： 須川成利 ,  SUGAWA, SHIGETOSHI ,  黒田理人 ,  KURODA, RIHITO

IPC: H01L31/103 ,  H01L27/144 ,  G01J1/02

CPC classification number: H01L27/1443 ,  G01J1/02 ,  G01J1/429 ,  G01J1/44 ,  H01L27/144 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/103 ,  H02S40/44

Abstract: 本發明係一種紫外光用固體受光裝置，其課題為提供：可以簡單的構造，精確度佳且適當地測定對於人體有害之紫外光的照射量，亦可容易地與周邊電路之感測器的一體加工，為小型．輕量，且低成本，適合於攜帶(mobile)或著用(wearable)之紫外光用固體受光裝置者。 解決手段為係其解決手段之一係具備：第1光二極體(1)與第2光二極體(2)，加以輸入依據自此等光二極體之輸出的各訊號之差動電路，於上述光二極體(1)，(2)內，及設置於各光二極體上之半導體層範圍，各設置半導體不純物之最大濃度位置，再於各光二極體之受光面上，設置有波長選擇性不同之光透過層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种紫外光用固体受光设备，其课题为提供：可以简单的构造，精确度佳且适当地测定对于人体有害之紫外光的照射量，亦可容易地与周边电路之传感器的一体加工，为小型．轻量，且低成本，适合于携带(mobile)或着用(wearable)之紫外光用固体受光设备者。 解决手段为系其解决手段之一系具备：第1光二极管(1)与第2光二极管(2)，加以输入依据自此等光二极管之输出的各信号之差动电路，于上述光二极管(1)，(2)内，及设置于各光二极管上之半导体层范围，各设置半导体不纯物之最大浓度位置，再于各光二极管之受光面上，设置有波长选择性不同之光透过层。

公开(公告)号：TWI482272B

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：TW100147836

申请日：2011-12-21

Applicant: 立那工業股份有限公司 ,  ZENA TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 俞榮濬 ,  YU, YOUNG-JUNE ,  狄恩 彼得 ,  DUANE, PETER ,  伍伯 慕尼 ,  WOBER, MUNIB

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  H04N5/369 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/035227 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109

公开(公告)号：TWI690068B

公开(公告)日：2020-04-01

申请号：TW105127679

申请日：2016-08-29

Applicant: 光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX INC.

Inventor： 那允中 ,  NA, YUN-CHUNG ,  鄭斯璘 ,  CHENG, SZU-LIN ,  陳書履 ,  CHEN, SHU-LU ,  劉漢鼎 ,  LIU, HAN-DIN ,  陳慧文 ,  CHEN, HUI-WEN ,  梁哲夫 ,  CHE-FU LIANG

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105

公开(公告)号：TW201838197A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW107108517

申请日：2018-03-14

Applicant: 日商艾普凌科有限公司 ,  ABLIC INC.

Inventor： 小山威 ,  KOYAMA, TAKESHI

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/18

Abstract: 第一半導體受光元件1a及第二半導體受光元件1b具備：形成於N型半導體基板11的第一P型半導體區域21；形成於第一P型半導體區域21內的第二N型半導體區域22；形成於第一P型半導體區域21內的高濃度P型半導體區域23；以及設於第二N型半導體區域22內的高濃度N型半導體區域24，半導體基板11上設有絕緣氧化膜31。第一半導體受光元件1a及第二半導體受光元件1b形成有不同膜厚的絕緣氧化膜31。

Abstract in simplified Chinese: 第一半导体受光组件1a及第二半导体受光组件1b具备：形成于N型半导体基板11的第一P型半导体区域21；形成于第一P型半导体区域21内的第二N型半导体区域22；形成于第一P型半导体区域21内的高浓度P型半导体区域23；以及设于第二N型半导体区域22内的高浓度N型半导体区域24，半导体基板11上设有绝缘氧化膜31。第一半导体受光组件1a及第二半导体受光组件1b形成有不同膜厚的绝缘氧化膜31。

公开(公告)号：TWI514607B

公开(公告)日：2015-12-21

申请号：TW102143608

申请日：2007-12-07

Applicant: 英特希爾美國公司 ,  INTERSIL AMERICAS INC.

Inventor： 寇尼斯基 亞歷山大 ,  KALNITSKY, ALEXANDER ,  鄭東 ,  ZHENG, DONG ,  瓊斯 喬伊 ,  JONES, JOY ,  林錫堅 ,  LIN, XIJIAN ,  希斯特拉 葛瑞葛里 ,  CESTRA, GREGORY

IPC: H01L31/103 ,  G09G3/34

CPC classification number: H01L27/1443 ,  G09G3/3406 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/103

公开(公告)号：TWI422053B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：TW096146710

申请日：2007-12-07

Applicant: 英特希爾美國公司 ,  INTERSIL AMERICAS INC.

Inventor： 亞歷山大 寇尼斯基 ,  KALNITSKY, ALEXANDER ,  鄭東 ,  ZHENG, DONG ,  喬伊 瓊斯 ,  JONES, JOY ,  林錫堅 ,  LIN, XIJIAN ,  葛瑞葛里 希斯特拉 ,  CESTRA, GREGORY

IPC: H01L31/103 ,  G09G3/34

CPC classification number: H01L27/1443 ,  G09G3/3406 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/103