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    光偵測器
    2.
    发明专利
    光偵測器 审中-公开
    光侦测器

    公开(公告)号：TW201947755A

    公开(公告)日：2019-12-16

    申请号：TW108133726

    申请日：2016-07-22

    Applicant: 光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX INC.

    Inventor： 那允中 ,  NA, YUN-CHUNG ,  鄭斯璘 ,  CHENG, SZU-LIN ,  陳書履 ,  CHEN, SHU-LU ,  劉漢鼎 ,  LIU, HAN-DIN ,  陳慧文 ,  CHEN, HUI-WEN

    IPC: H01L27/146

    Abstract: 一種光偵測器包含第一材料層、第二材料層及梯度材料層；第一材料層至少包含第一材料。第二材料層至少包含第二材料，第二材料不同於第一材料且第一材料的能帶間隙大於第二材料的的能帶間隙。梯度材料層設於第一材料層及第二材料層之間；梯度材料層至少包含第一材料及第二材料，且其第二材料的含量沿著由第一材料往第二材料的方向漸變。

    Abstract in simplified Chinese: 一种光侦测器包含第一材料层、第二材料层及梯度材料层；第一材料层至少包含第一材料。第二材料层至少包含第二材料，第二材料不同于第一材料且第一材料的能带间隙大于第二材料的的能带间隙。梯度材料层设于第一材料层及第二材料层之间；梯度材料层至少包含第一材料及第二材料，且其第二材料的含量沿着由第一材料往第二材料的方向渐变。

    光學感測器
    3.
    发明专利
    光學感測器 审中-公开
    光学传感器

    公开(公告)号：TW202023046A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW109105480

    申请日：2016-08-29

    Applicant: 光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX INC.

    Inventor： 那允中 ,  NA, YUN-CHUNG ,  鄭斯璘 ,  CHENG, SZU-LIN ,  陳書履 ,  CHEN, SHU-LU ,  劉漢鼎 ,  LIU, HAN-DIN ,  陳慧文 ,  CHEN, HUI-WEN ,  梁哲夫 ,  LIANG, CHE-FU

    IPC: H01L27/148 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/101 ,  G01J1/44

    Abstract: 一光學感測器包含一半導體基板、一第一光吸收區、一第二光吸收區及一感測控制信號；第一光吸收區形成於半導體基板上方，並用以吸收具有一第一波段之複數光子並產生複數光載子；第二光吸收區形成於第一吸收區上方，並用以吸收具有一第二波段之複數光子並產生複數光載子；感測控制信號耦接於第二吸收區，並用以提供至少一第一控制準位及一第二控制準位。

    Abstract in simplified Chinese: 一光学传感器包含一半导体基板、一第一光吸收区、一第二光吸收区及一传感控制信号；第一光吸收区形成于半导体基板上方，并用以吸收具有一第一波段之复数光子并产生复数光载子；第二光吸收区形成于第一吸收区上方，并用以吸收具有一第二波段之复数光子并产生复数光载子；传感控制信号耦接于第二吸收区，并用以提供至少一第一控制准位及一第二控制准位。

    製造影像感測陣列之方法
    6.
    发明专利
    製造影像感測陣列之方法 审中-公开
    制造影像传感数组之方法

    公开(公告)号：TW201947754A

    公开(公告)日：2019-12-16

    申请号：TW108133366

    申请日：2016-08-04

    Applicant: 光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX INC.

    Inventor： 那允中 ,  NA, YUN-CHUNG ,  鄭斯璘 ,  CHENG, SZU-LIN ,  陳書履 ,  CHEN, SHU-LU ,  劉漢鼎 ,  LIU, HAN-DIN ,  陳慧文 ,  CHEN, HUI-WEN ,  梁哲夫 ,  LIANG, CHE-FU

    IPC: H01L27/146 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0312 ,  H04N5/378

    Abstract: 一種製造影像感測陣列之方法，此影像感測陣列包含一承載基板、一第一群光電二極體及一第二群光電二極體。第一群光電二極體耦合於承載基板並包含一第一光電二極體，第一光電二極體包含一半導體層；半導體層用以吸收介於可見光波段的光子，並以所吸收之介於可見光波段的光子產生光載子。第二群光電二極體耦合於承載基板並包含一第二光電二極體，第二光電二極體包含一鍺矽區。﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽；鍺矽區製造於半導體基板上方，並用以吸收介於紅外光或近紅外波段的光子，再以所吸收到之介於紅外光或近紅外光波段的光子產生光載子。

    Abstract in simplified Chinese: 一种制造影像传感数组之方法，此影像传感数组包含一承载基板、一第一群光电二极管及一第二群光电二极管。第一群光电二极管耦合于承载基板并包含一第一光电二极管，第一光电二极管包含一半导体层；半导体层用以吸收介于可见光波段的光子，并以所吸收之介于可见光波段的光子产生光载子。第二群光电二极管耦合于承载基板并包含一第二光电二极管，第二光电二极管包含一锗硅区。﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽﷽；锗硅区制造于半导体基板上方，并用以吸收介于红外光或近红外波段的光子，再以所吸收到之介于红外光或近红外光波段的光子产生光载子。

    高速光偵測裝置
    7.
    发明专利
    高速光偵測裝置 审中-公开
    高速光侦测设备

    公开(公告)号：TW201904085A

    公开(公告)日：2019-01-16

    申请号：TW107112154

    申请日：2018-04-09

    Applicant: 美商光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX INC.

    Inventor： 那允中 ,  NA, YUN-CHUNG ,  梁哲夫 ,  LIANG, CHE-FU ,  陳書履 ,  CHEN, SHU-LU ,  鄭斯璘 ,  CHENG, SZU-LIN ,  劉漢鼎 ,  LIU, HAN-DIN ,  陳建龍 ,  CHEN, CHIEN-LUNG ,  呂元復 ,  LYU, YUAN-FU ,  林杰霆 ,  LIN, CHIEH-TING ,  陳柏均 ,  CHEN, BO-JIUN ,  陳慧文 ,  CHEN, HUI-WEN ,  朱書緯 ,  CHU, SHU-WEI ,  林崇致 ,  LIN, CHUNG-CHIH ,  朱冠禎 ,  CHU, KUAN-CHEN

    IPC: H01L31/112 ,  H01L31/12

    Abstract: 一種電路，包含︰一光偵測器，包含一第一讀出端子及一第二讀出端子，第二讀出端子不同於第一讀出端子；一第一讀出電路，耦接至第一讀出端子，並被配置用於輸出一第一讀出電壓；一第二讀出電路，耦接至第二讀出端子並被配置用於輸出一第二讀出電壓；以及一共模類比數位轉換器，其包含︰一第一輸入端子，耦接至一第一電壓源；一第二輸入端子，耦接至一共模產生器，共模產生器被配置用於接收第一讀出電壓及第二讀出電壓，並產生在第一讀出電壓和第二讀出電壓之間的一共模電壓；以及一第一輸出端子，被配置用於輸出對應於光偵測器產生的電流大小的一第一輸出信號。

    Abstract in simplified Chinese: 一种电路，包含︰一光侦测器，包含一第一读出端子及一第二读出端子，第二读出端子不同于第一读出端子；一第一读出电路，耦接至第一读出端子，并被配置用于输出一第一读出电压；一第二读出电路，耦接至第二读出端子并被配置用于输出一第二读出电压；以及一共模模拟数码转换器，其包含︰一第一输入端子，耦接至一第一电压源；一第二输入端子，耦接至一共模产生器，共模产生器被配置用于接收第一读出电压及第二读出电压，并产生在第一读出电压和第二读出电压之间的一共模电压；以及一第一输出端子，被配置用于输出对应于光侦测器产生的电流大小的一第一输出信号。

    光偵測器及其製造方法
    8.
    发明专利
    光偵測器及其製造方法 审中-公开
    光侦测器及其制造方法

    公开(公告)号：TW201719872A

    公开(公告)日：2017-06-01

    申请号：TW105123296

    申请日：2016-07-22

    Applicant: 光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX INC.

    Inventor： 那允中 ,  NA, YUN-CHUNG ,  鄭斯璘 ,  CHENG, SZU-LIN ,  陳書履 ,  CHEN, SHU-LU ,  劉漢鼎 ,  LIU, HAN-DIN ,  陳慧文 ,  CHEN, HUI-WEN

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

    Abstract: 本發明之目的在於提供一種光偵測器以及光偵測器之製造方法。光偵測器包含第一材料層、第二材料層及梯度材料層；第一材料層至少包含第一材料。第二材料層至少包含第二材料，第二材料不同於第一材料且第一材料的能帶間隙大於第二材料的的能帶間隙。梯度材料層設於第一材料層及第二材料層之間；梯度材料層至少包含第一材料及第二材料，且其第二材料的含量沿著由第一材料往第二材料的方向漸變。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种光侦测器以及光侦测器之制造方法。光侦测器包含第一材料层、第二材料层及梯度材料层；第一材料层至少包含第一材料。第二材料层至少包含第二材料，第二材料不同于第一材料且第一材料的能带间隙大于第二材料的的能带间隙。梯度材料层设于第一材料层及第二材料层之间；梯度材料层至少包含第一材料及第二材料，且其第二材料的含量沿着由第一材料往第二材料的方向渐变。

    多晶圓光吸收裝置及其應用
    9.
    发明专利
    多晶圓光吸收裝置及其應用 审中-公开
    多晶圆光吸收设备及其应用

    公开(公告)号：TW201717373A

    公开(公告)日：2017-05-16

    申请号：TW105123489

    申请日：2016-07-25

    Applicant: 光澄科技股份有限公司 ,  ARTILUX INC.

    Inventor： 鄭斯璘 ,  CHENG, SZU-LIN ,  劉漢鼎 ,  LIU, HAN-DIN ,  陳書履 ,  CHEN, SHU-LU ,  那允中 ,  NA, YUN-CHUNG ,  陳慧文 ,  CHEN, HUI-WEN

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: H01L31/1812 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0549 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

    Abstract: 本發明介紹的結構和技術能使用典型的半導體裝置製造技術以設計和製造光偵測器和/或其他電子電路，並減少對光偵測器性能的不利影響。本發明介紹的各種結構和技術的範例包括但不限於前置光偵測器同質晶圓接合技術、前置光偵測器異質晶圓接合技術、包括反射鏡之光偵測器結構、後置光偵測器晶圓接合技術及其組合。本發明以前述結構和技術，可使用典型的直接成長材料磊晶技術來實現光偵測器，同時減少由晶格差配而在材料介面處產生的缺陷層所產生的不利影響。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明介绍的结构和技术能使用典型的半导体设备制造技术以设计和制造光侦测器和/或其他电子电路，并减少对光侦测器性能的不利影响。本发明介绍的各种结构和技术的范例包括但不限于前置光侦测器同质晶圆接合技术、前置光侦测器异质晶圆接合技术、包括反射镜之光侦测器结构、后置光侦测器晶圆接合技术及其组合。本发明以前述结构和技术，可使用典型的直接成长材料磊晶技术来实现光侦测器，同时减少由晶格差配而在材料界面处产生的缺陷层所产生的不利影响。

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