公开(公告)号：TWI699820B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW108112376

申请日：2012-01-20

申请人： 奧地利商EV集團E塔那有限公司 ,  EV GROUP E. THALLNER GMBH

发明人： 普拉格 湯瑪斯 ,  PLACH, THOMAS ,  亨格爾 克特 ,  HINGERL, KURT ,  威普林格 馬克斯 ,  WIMPLINGER, MARKUS ,  伏洛傑恩 克里斯多夫 ,  FLOTGEN, CHRISTOPH

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/30

公开(公告)号：TW202027287A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108100013

申请日：2019-01-02

申请人： 逢甲大學 ,  FENG CHIA UNIVERSITY

发明人： 劉漢胤 ,  LIU, HAN-YIN ,  侯富淵 ,  HOU, FU-YUAN

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L21/30

摘要： 本發明提供一種雙波段光檢測器及其製備方法。所述雙波段光檢測器包含基板、第一主動層、第二主動層以及電極層。第一主動層設置於基板上，具有第一預設厚度，第一主動層包含第一半導體材料。第二主動層設置於第一主動層上，具有第二預設厚度，第二主動層包含第二半導體材料。電極層設置於第一主動層與第二主動層之間。第一預設厚度大於或等於第二預設厚度，第二主動層能隙較第一主動層能隙大。

简体摘要： 本发明提供一种双波段光检测器及其制备方法。所述双波段光检测器包含基板、第一主动层、第二主动层以及电极层。第一主动层设置于基板上，具有第一默认厚度，第一主动层包含第一半导体材料。第二主动层设置于第一主动层上，具有第二默认厚度，第二主动层包含第二半导体材料。电极层设置于第一主动层与第二主动层之间。第一默认厚度大于或等于第二默认厚度，第二主动层能隙较第一主动层能隙大。

公开(公告)号：TW202027148A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108134769

申请日：2019-09-26

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 許 昆 ,  XU, KUN ,  蓋奇 大衛麥斯威爾 ,  GAGE, DAVID MAXWELL ,  李 哈利Q ,  LEE, HARRY Q. ,  伊凡諾夫 丹尼斯 ,  IVANOV, DENIS ,  依拉維尼 韓森G ,  IRAVANI, HASSAN G. ,  班尼特 杜里E ,  BENNETT, DOYLE E. ,  許瑞斯薩 奇蘭拉爾 ,  SHRESTHA, KIRAN LALL

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/321 ,  B24B37/005

摘要： 一種藉由原位電磁感應監測系統補償半導體晶圓之電導率對已量測跡線之貢獻的方法包括儲存或產生經修改之參考跡線。經修改之參考跡線表示藉由神經網路修改的由原位電磁感應監測系統對裸摻雜之參考半導體晶圓的量測。藉由原位電磁感應監測系統來監測基板，以產生取決於導電層之厚度的已量測跡線，且將已量測跡線之至少一部分應用於神經網路以產生經修改之已量測跡線。產生經調整跡線，包括自經修改之已量測跡線減去經修改之參考跡線。

简体摘要： 一种借由原位电磁感应监测系统补偿半导体晶圆之电导率对已量测迹线之贡献的方法包括存储或产生经修改之参考迹线。经修改之参考迹线表示借由神经网络修改的由原位电磁感应监测系统对裸掺杂之参考半导体晶圆的量测。借由原位电磁感应监测系统来监测基板，以产生取决于导电层之厚度的已量测迹线，且将已量测迹线之至少一部分应用于神经网络以产生经修改之已量测迹线。产生经调整迹线，包括自经修改之已量测迹线减去经修改之参考迹线。

公开(公告)号：TWI697945B

公开(公告)日：2020-07-01

申请号：TW105141621

申请日：2016-12-15

申请人： 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 丸本洋 ,  MARUMOTO, HIROSHI ,  河野央 ,  KAWANO, HISASHI ,  清瀬浩巳 ,  KIYOSE, HIROMI ,  中森光則 ,  NAKAMORI, MITSUNORI ,  光岡一行 ,  MITSUOKA, KAZUYUKI

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/67

公开(公告)号：TW202023022A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：TW108135794

申请日：2019-10-01

申请人： 美商橫杆股份有限公司 ,  CROSSBAR, INC.

发明人： 周承賢 ,  JO, SUNG HYUN ,  納拉恩 桑達 ,  NARAYANAN, SUNDAR ,  顧 震 ,  GU, ZHEN

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/30 ,  G11C11/34

摘要： 一種自對準記憶體裝置，包含設置在絕緣層內並具有共平面型頂部表面的導電性底部插塞、設置在該共平面型頂部表面上並具有在50埃至200埃的範圍內的厚度的自對準平面型底部電極、設置在該自對準平面型底部電極上的平面型切換材料層、設置在該平面型切換材料層上的平面型活性金屬材料層、以及設置在該平面型活性金屬材料層之上的平面型頂部電極，其中，該自對準平面型底部電極、該平面型切換材料層、該平面型活性金屬材料層和該平面型頂部電極形成柱狀結構在該絕緣層之上。

简体摘要： 一种自对准内存设备，包含设置在绝缘层内并具有共平面型顶部表面的导电性底部插塞、设置在该共平面型顶部表面上并具有在50埃至200埃的范围内的厚度的自对准平面型底部电极、设置在该自对准平面型底部电极上的平面型切换材料层、设置在该平面型切换材料层上的平面型活性金属材料层、以及设置在该平面型活性金属材料层之上的平面型顶部电极，其中，该自对准平面型底部电极、该平面型切换材料层、该平面型活性金属材料层和该平面型顶部电极形成柱状结构在该绝缘层之上。

公开(公告)号：TW202018790A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW107138574

申请日：2018-10-31

申请人： 力晶積成電子製造股份有限公司 ,  POWERCHIP SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION

发明人： 黃彥智 ,  HUANG, YEN-JHIH

IPC分类号： H01L21/30

摘要： 一種半導體元件的製造方法，包括於半導體基底上形成一堆疊結構，再在堆疊結構上形成數個第一間隙壁。然後，在堆疊結構上形成中間層，完全覆蓋第一間隙壁，再在中間層上形成數個第二間隙壁，其中第二間隙壁與第一間隙壁之間具有數個重疊部位，並以第二間隙壁作為蝕刻罩幕，蝕刻中間層與第一間隙壁，留下重疊部位的第一間隙壁。移除第二間隙壁與中間層之後，在堆疊結構上形成一罩幕層，以覆蓋重疊部位的第一間隙壁，利用回蝕刻罩幕層的方式使第一間隙壁的頂部露出，再移除第一間隙壁。以罩幕層作為蝕刻罩幕，蝕刻堆疊結構中的至少一層。

简体摘要： 一种半导体组件的制造方法，包括于半导体基底上形成一堆栈结构，再在堆栈结构上形成数个第一间隙壁。然后，在堆栈结构上形成中间层，完全覆盖第一间隙壁，再在中间层上形成数个第二间隙壁，其中第二间隙壁与第一间隙壁之间具有数个重叠部位，并以第二间隙壁作为蚀刻罩幕，蚀刻中间层与第一间隙壁，留下重叠部位的第一间隙壁。移除第二间隙壁与中间层之后，在堆栈结构上形成一罩幕层，以覆盖重叠部位的第一间隙壁，利用回蚀刻罩幕层的方式使第一间隙壁的顶部露出，再移除第一间隙壁。以罩幕层作为蚀刻罩幕，蚀刻堆栈结构中的至少一层。

公开(公告)号：TWM592595U

公开(公告)日：2020-03-21

申请号：TW108217098

申请日：2019-12-23

申请人： 銓揚精密有限公司

发明人： 李偉菘

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L23/00

公开(公告)号：TWI686851B

公开(公告)日：2020-03-01

申请号：TW108101769

申请日：2019-01-17

申请人： 大陸商瀋陽矽基科技有限公司 ,  SHENYANG SILICON TECHNOLOGY CO., LTD.

发明人： 黨啟森 ,  DANG, QISEN

IPC分类号： H01L21/30

公开(公告)号：TW202008501A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108122156

申请日：2019-06-25

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 李永堯 ,  LEE, YUNG-YAO ,  曾威翔 ,  TSENG, WEI-HSIANG

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/30

摘要： 根據本發明的一些實施例，提供一種用於製造一半導體結構之方法。該方法包括以下操作。將一第一半導體基板設置於一自旋夾盤上。獲得該第一半導體基板附近之一第一濕度因數。將一抗蝕劑材料施配於該第一半導體基板上。使該自旋夾盤以一第一速度旋轉。該第一速度係基於該第一濕度因數而判定。

简体摘要： 根据本发明的一些实施例，提供一种用于制造一半导体结构之方法。该方法包括以下操作。将一第一半导体基板设置于一自旋夹盘上。获得该第一半导体基板附近之一第一湿度因子。将一抗蚀剂材料施配于该第一半导体基板上。使该自旋夹盘以一第一速度旋转。该第一速度系基于该第一湿度因子而判定。

公开(公告)号：TW202007783A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108118333

申请日：2019-05-28

申请人： 日商東京應化工業股份有限公司 ,  TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

发明人： 岩田泰昌 ,  IWATA, YASUMASA ,  山本毅 ,  YAMAMOTO, TAKESHI ,  中田公宏 ,  NAKADA, KIMIHIRO ,  中村彰彦 ,  NAKAMURA, AKIHIKO ,  稲尾吉浩 ,  INAO, YOSHIHIRO

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L21/30

摘要： [目的] 經由抑制接著層上所形成的絕緣層之變形或移動、以優良精準度實施重新佈線之方式，抑制產率之降低。 [解決手段] 層合體(100)的製造方法為包含：依序層合支撐體(10)，與經由吸收光線或加熱而變質的分離層(20)，與接著層(30)，與形成導線重佈層(RDL)(71)所使用的熔點為300℃以上之保護層(40)之方法。

简体摘要： [目的] 经由抑制接着层上所形成的绝缘层之变形或移动、以优良精准度实施重新布线之方式，抑制产率之降低。 [解决手段] 层合体(100)的制造方法为包含：依序层合支撑体(10)，与经由吸收光线或加热而变质的分离层(20)，与接着层(30)，与形成导线重布层(RDL)(71)所使用的熔点为300℃以上之保护层(40)之方法。