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公开(公告)号:TWI666760B
公开(公告)日:2019-07-21
申请号:TW104116008
申请日:2015-05-20
Applicant: 美商橫杆股份有限公司 , CROSSBAR INC.
Inventor: 周承賢 , JO, SUNG HYUN
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
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公开(公告)号:TW201834290A
公开(公告)日:2018-09-16
申请号:TW106132059
申请日:2017-09-19
Applicant: 英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
Inventor: 席芙蘭 露西安 , SHIFREN, LUCIAN , 瑞德 金佰利蓋 , REID, KIMBERLY GAY , 葉立克 格瑞格利 , YERIC, GREGORY
IPC: H01L49/00
Abstract: 本文所揭示的標的可涉及由相關電子材料所形成的裝置。
Abstract in simplified Chinese: 本文所揭示的标的可涉及由相关电子材料所形成的设备。
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公开(公告)号:TWI594373B
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:TW101142590
申请日:2012-11-15
Applicant: 瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
Inventor: 大和田福夫 , OWADA, FUKUO
CPC classification number: G11C11/21 , G11C14/009
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公开(公告)号:TW201547006A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:TW104105307
申请日:2015-02-16
Applicant: 愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
Inventor: 福田夏樹 , FUKUDA, NATSUKI , 福壽和紀 , FUKUJU, KAZUNORI , 宮口有典 , MIYAGUCHI, YUUSUKE , 西岡浩 , NISHIOKA, YUTAKA , 鄒弘綱 , SUU, KOUKOU
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1253 , H01L45/1608 , H01L45/1625
Abstract: 本發明之課題為提供一種低成本的電阻變化元件及其製造方法。 本發明之一實施形態的電阻變化元件1係具有:下部電極層3、上部電極層5以及氧化物半導體層4。上部電極層5係由碳材料所形成。氧化物半導體層4係具有第一金屬氧化物層41以及第二金屬氧化物層42。第一金屬氧化物層41係形成於下部電極層3與上部電極層5之間且具有第一電阻率。第二金屬氧化物層42係形成於第一金屬氧化物層41與上部電極層5之間且具有與第一電阻率不同的第二電阻率。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题为提供一种低成本的电阻变化组件及其制造方法。 本发明之一实施形态的电阻变化组件1系具有:下部电极层3、上部电极层5以及氧化物半导体层4。上部电极层5系由碳材料所形成。氧化物半导体层4系具有第一金属氧化物层41以及第二金属氧化物层42。第一金属氧化物层41系形成于下部电极层3与上部电极层5之间且具有第一电阻率。第二金属氧化物层42系形成于第一金属氧化物层41与上部电极层5之间且具有与第一电阻率不同的第二电阻率。
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公开(公告)号:TW202027310A
公开(公告)日:2020-07-16
申请号:TW108101269
申请日:2019-01-11
Applicant: 研能科技股份有限公司 , MICROJET TECHNOLOGY CO., LTD.
Inventor: 莫皓然 , MOU, HAO-JAN , 薛達偉 , HSUEH, TA-WEI , 韓永隆 , HAN, YUNG-LUNG , 黃啟峰 , HUANG, CHI-FENG , 郭俊毅 , KUO, CHUN-YI , 蔡長諺 , TSAI, CHANG-YEN
Abstract: 一種致動透氣材料結構,包含:一支撐本體,由支撐基材所構成;複數個致動透氣單元;以及複數個微處理晶片;複數個致動透氣單元及複數個微處理晶片均複合在支撐基材中形成一體, 藉複數個微處理晶片以控制複數個致動透氣單元,藉以驅動運作構成該支撐本體特定方向氣體傳送之透氣作用。
Abstract in simplified Chinese: 一种致动透气材料结构,包含:一支撑本体,由支撑基材所构成;复数个致动透气单元;以及复数个微处理芯片;复数个致动透气单元及复数个微处理芯片均复合在支撑基材中形成一体, 藉复数个微处理芯片以控制复数个致动透气单元,借以驱动运作构成该支撑本体特定方向气体发送之透气作用。
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公开(公告)号:TWI698932B
公开(公告)日:2020-07-11
申请号:TW108111228
申请日:2019-03-29
Applicant: 國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
Inventor: 陳奕彤 , CHEN, I-TUNG , 賴映佑 , LAI, YING-YU , 陳俊安 , CHEN, CHUN-AN , 張鋅權 , ZHANG, XIN-QUAN , 李奕賢 , LEE, YI-HSIEN
IPC: H01L21/322 , H01L49/00 , C01B17/00 , C01B19/00
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公开(公告)号:TWI688133B
公开(公告)日:2020-03-11
申请号:TW107142207
申请日:2018-11-27
Applicant: 台灣生捷科技股份有限公司 , CENTRILLION TECHNOLOGIES TAIWAN CO. LTD.
Inventor: 顧子琨 , KU, TZU-KUN , 鍾曜光 , CHUNG, YAO-KUANG , 張鈞豪 , CHANG, CHUN-HAO
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公开(公告)号:TW201835369A
公开(公告)日:2018-10-01
申请号:TW106123165
申请日:2017-07-11
Applicant: ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
Inventor: 瑞德 金佰利蓋 , REID, KIMBERLY GAY , 席芙蘭 露西安 , SHIFREN, LUCIAN
Abstract: 本文所揭示之標的係關於用以例如執行開關功能之相關電子材料之製造。在實施例中,描述了製程,其可用於避免在例如導電基板與相關電子材料之間的界面表面處形成潛在電阻氧化物層。
Abstract in simplified Chinese: 本文所揭示之标的系关于用以例如运行开关功能之相关电子材料之制造。在实施例中,描述了制程,其可用于避免在例如导电基板与相关电子材料之间的界面表面处形成潜在电阻氧化物层。
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公开(公告)号:TW201817036A
公开(公告)日:2018-05-01
申请号:TW105134867
申请日:2016-10-27
Applicant: 友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
Inventor: 何金原 , HO, CHIN-YUAN , 羅國隆 , LO, KUO-LUNG , 吳宗典 , WU, TSUNG-TIEN
Abstract: 一種過渡載板裝置的製造方法。首先,在基板上形成線路層。接著,在基板上形成支撐層,其具有多個暴露出線路層的開口。在支撐層上形成保護層,其覆蓋支撐層以及開口所暴露的線路層。之後,在保護層上形成黏著圖案層。接著,設置至少一微型發光件於黏著圖案層上。接著,在保護層與微型發光件上形成絕緣層。之後,移除部分保護層與絕緣層,以形成多個接觸孔。接著,在絕緣層上形成導線層,其藉由這些接觸孔電性連接微型發光件與線路層。另外,過渡載板裝置、檢測微型發光件的方法以及顯示面板及其製造方法也在此提出。
Abstract in simplified Chinese: 一种过渡载板设备的制造方法。首先,在基板上形成线路层。接着,在基板上形成支撑层,其具有多个暴露出线路层的开口。在支撑层上形成保护层,其覆盖支撑层以及开口所暴露的线路层。之后,在保护层上形成黏着图案层。接着,设置至少一微型发光件于黏着图案层上。接着,在保护层与微型发光件上形成绝缘层。之后,移除部分保护层与绝缘层,以形成多个接触孔。接着,在绝缘层上形成导线层,其借由这些接触孔电性连接微型发光件与线路层。另外,过渡载板设备、检测微型发光件的方法以及显示皮肤及其制造方法也在此提出。
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公开(公告)号:TW201813144A
公开(公告)日:2018-04-01
申请号:TW106112387
申请日:2017-04-13
Applicant: 日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
Inventor: 津國和之 , TSUNOKUNI, KAZUYUKI , 齋藤友和 , SAITOU, TOMOKAZU , 佐藤祐樹 , SATOU, YUKI , 高野光 , TAKANO, HIKARU
IPC: H01L49/00
Abstract: 本發明之課題在於提供可以增大放電容量的二次電池之製造方法。 解決手段係相關於本發明的二次電池之製造方法,依序層積第一電極(12)、n型金屬氧化物半導體所構成的n型金屬氧化物半導體層(14)、n型金屬氧化物半導體與絕緣體所構成的充電層(16)、以絕緣體為主成分的中間絕緣層(18)、p型金屬氧化物半導體所構成的p型金屬氧化物半導體層(22)、以及第二電極(24)之後,把以第一電極(12)為基準對第一電極(12)與第二電極(24)之間施加正電壓的第一程序、與以第一電極(12)為基準對第一電極(12)與第二電極(24)之間施加0V的第二程序依序反覆之程序作為第1單位循環,反覆預定次數之第1單位循環。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于提供可以增大放电容量的二次电池之制造方法。 解决手段系相关于本发明的二次电池之制造方法,依序层积第一电极(12)、n型金属氧化物半导体所构成的n型金属氧化物半导体层(14)、n型金属氧化物半导体与绝缘体所构成的充电层(16)、以绝缘体为主成分的中间绝缘层(18)、p型金属氧化物半导体所构成的p型金属氧化物半导体层(22)、以及第二电极(24)之后,把以第一电极(12)为基准对第一电极(12)与第二电极(24)之间施加正电压的第一进程、与以第一电极(12)为基准对第一电极(12)与第二电极(24)之间施加0V的第二进程依序反复之进程作为第1单位循环,反复预定次数之第1单位循环。
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