公开(公告)号：US20090053401A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US11895454

申请日：2007-08-24

申请人： Sudarsan Uppili ,  Guillaume Bouche ,  Akhtar Mirfazli ,  Nicholas S. Argenti

发明人： Sudarsan Uppili ,  Guillaume Bouche ,  Akhtar Mirfazli ,  Nicholas S. Argenti

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： C23C14/0617 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H9/175 ,  H03H2003/025

摘要： Piezoelectric deposition for BAW resonators wherein a thin amorphous layer of AlN over the bottom electrode before depositing a second layer of AlN over the amorphous layer of AlN, the depositing occurring at a temperature allowing the deposited AlN to self-organize into a desired columnar phase. The bottom electrode may have acoustic isolation thereunder, such as a Bragg mirror. Various details of the fabrication process are disclosed.

摘要翻译： 用于BAW谐振器的压电沉积，其中在在AlN的非晶层上沉积第二AlN层之前，在底电极上方形成薄的非晶层AlN，沉积在允许沉积的AlN自组织成所需柱状相的温度下发生。 底部电极可以在其下方具有声学隔离，例如布拉格反射镜。 公开了制造工艺的各种细节。