公开(公告)号：US20110159618A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12699063

申请日：2010-02-03

申请人： Ted-Hong Shinn ,  Henry Wang ,  Fang-An Shu ,  Yao-Chou Ysai

发明人： Ted-Hong Shinn ,  Henry Wang ,  Fang-An Shu ,  Yao-Chou Ysai

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02631 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： A method for manufacturing an oxide thin film transistor includes the steps of forming an oxide semiconductor active layer by a deposition process. In the deposition process, a total flow rate of a gas is more than 100 standard cubic centimeters per minute and an electric power is in a range from 1.5 kilowatts to 10 kilowatts. The oxide thin film transistor manufactured by the above methods has advantages of low leakage currents, high electron mobility, and excellent temperature stability. The present invention also provides a method for manufacturing a display device. The display quality of the display device can be improved.

摘要翻译： 制造氧化物薄膜晶体管的方法包括通过沉积工艺形成氧化物半导体活性层的步骤。 在沉积过程中，气体的总流量大于100标准立方厘米每分钟，电功率在1.5千瓦至10千瓦的范围内。 通过上述方法制造的氧化物薄膜晶体管具有低漏电流，高电子迁移率和优异的温度稳定性的优点。 本发明还提供一种显示装置的制造方法。 可以提高显示装置的显示质量。