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    Method for Manufacturing Oxide Thin Film Transistor and Method for Manufacturing Display Device
    1.
    发明申请
    Method for Manufacturing Oxide Thin Film Transistor and Method for Manufacturing Display Device 有权
    制造氧化物薄膜晶体管的方法及制造显示装置的方法

    公开(公告)号：US20110159618A1

    公开(公告)日：2011-06-30

    申请号：US12699063

    申请日：2010-02-03

    申请人： Ted-Hong Shinn ,  Henry Wang ,  Fang-An Shu ,  Yao-Chou Ysai

    发明人： Ted-Hong Shinn ,  Henry Wang ,  Fang-An Shu ,  Yao-Chou Ysai

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/02631 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

    摘要： A method for manufacturing an oxide thin film transistor includes the steps of forming an oxide semiconductor active layer by a deposition process. In the deposition process, a total flow rate of a gas is more than 100 standard cubic centimeters per minute and an electric power is in a range from 1.5 kilowatts to 10 kilowatts. The oxide thin film transistor manufactured by the above methods has advantages of low leakage currents, high electron mobility, and excellent temperature stability. The present invention also provides a method for manufacturing a display device. The display quality of the display device can be improved.

    摘要翻译： 制造氧化物薄膜晶体管的方法包括通过沉积工艺形成氧化物半导体活性层的步骤。 在沉积过程中，气体的总流量大于100标准立方厘米每分钟，电功率在1.5千瓦至10千瓦的范围内。 通过上述方法制造的氧化物薄膜晶体管具有低漏电流，高电子迁移率和优异的温度稳定性的优点。 本发明还提供一种显示装置的制造方法。 可以提高显示装置的显示质量。

    Method for forming oxide thin film transistor
    2.
    发明授权
    Method for forming oxide thin film transistor 有权
    氧化物薄膜晶体管的形成方法

    公开(公告)号：US08748222B2

    公开(公告)日：2014-06-10

    申请号：US12774562

    申请日：2010-05-05

    申请人： Ted-Hong Shinn ,  Henry Wang ,  Fang-An Shu ,  Yao-Chou Tsai

    发明人： Ted-Hong Shinn ,  Henry Wang ,  Fang-An Shu ,  Yao-Chou Tsai

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/34

    CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/34 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/78609

    摘要： A method for manufacturing oxide thin film transistors includes steps of: forming a gate, a drain electrode, a source electrode, and an oxide semiconductor layer respectively. The oxide semiconductor layer is formed on the gate electrode; the drain electrode and the source electrode are formed at two opposite sides of the oxide semiconductor layer. The method further includes a step of depositing a dielectric layer of silicon oxide, and a reacting gas for depositing the silicon oxide includes silane and nitrous oxide. A flow rate of nitrous oxide is in a range from 10 to 200 standard cubic centimeters per minute (SCCM). Oxide thin film transistors manufactured by above method has advantages of low leakage, high mobility, and other integrated circuit member can be directly formed on the thin film transistor array substrate of a display device.

    摘要翻译： 制造氧化物薄膜晶体管的方法包括以下步骤：分别形成栅极，漏极，源电极和氧化物半导体层。 氧化物半导体层形成在栅电极上; 漏电极和源电极形成在氧化物半导体层的两个相对侧。 该方法还包括沉积氧化硅的介电层的步骤，并且用于沉积氧化硅的反应气体包括硅烷和一氧化二氮。 一氧化二氮的流量在10至200标准立方厘米每分钟（SCCM）的范围内。 通过上述方法制造的氧化物薄膜晶体管具有漏电流低，迁移率高的优点，其他集成电路元件可以直接形成在显示器件的薄膜晶体管阵列基板上。

    Method for manufacturing oxide thin film transistor and method for manufacturing display device
    3.
    发明授权
    Method for manufacturing oxide thin film transistor and method for manufacturing display device 有权
    制造氧化物薄膜晶体管的方法及显示装置的制造方法

    公开(公告)号：US08389310B2

    公开(公告)日：2013-03-05

    申请号：US12699063

    申请日：2010-02-03

    申请人： Ted-Hong Shinn ,  Henry Wang ,  Fang-An Shu ,  Yao-Chou Tsai

    发明人： Ted-Hong Shinn ,  Henry Wang ,  Fang-An Shu ,  Yao-Chou Tsai

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L51/40

    CPC分类号： H01L21/02631 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

    摘要： A method for manufacturing an oxide thin film transistor includes the steps of forming an oxide semiconductor active layer by a deposition process. In the deposition process, a total flow rate of a gas is more than 100 standard cubic centimeters per minute and an electric power is in a range from 1.5 kilowatts to 10 kilowatts. The oxide thin film transistor manufactured by the above methods has advantages of low leakage currents, high electron mobility, and excellent temperature stability. The present invention also provides a method for manufacturing a display device. The display quality of the display device can be improved.

    摘要翻译： 制造氧化物薄膜晶体管的方法包括通过沉积工艺形成氧化物半导体活性层的步骤。 在沉积过程中，气体的总流量大于100标准立方厘米每分钟，电功率在1.5千瓦至10千瓦的范围内。 通过上述方法制造的氧化物薄膜晶体管具有低漏电流，高电子迁移率和优异的温度稳定性的优点。 本发明还提供一种显示装置的制造方法。 可以提高显示装置的显示质量。

    Thin film transistor substrate and method fabricating the same
    4.
    发明授权
    Thin film transistor substrate and method fabricating the same 有权
    薄膜晶体管基板及其制造方法

    公开(公告)号：US08927983B2

    公开(公告)日：2015-01-06

    申请号：US13589172

    申请日：2012-08-19

    申请人： Wen-Chung Tang ,  Fang-An Shu ,  Yao-Chou Tsai ,  Ted-Hong Shinn

    发明人： Wen-Chung Tang ,  Fang-An Shu ,  Yao-Chou Tsai ,  Ted-Hong Shinn

    IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/12

    CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1259

    摘要： Disclosed herein is a thin film transistor array substrate. The thin film transistor array substrate includes a display area and a non-display area. The non-display area includes a signal line, a connecting line and a metal contact. The connecting line is formed in a first patterned metal layer. The signal line and the metal contact are formed in a second patterned metal layer. The connecting line is connected to the signal line by a first through-hole, and the connecting line is connected to the metal contact by a second through-hole. Furthermore, a method of fabricating the thin film transistor array substrate is also disclosed.

    摘要翻译： 这里公开了薄膜晶体管阵列基板。 薄膜晶体管阵列基板包括显示区域和非显示区域。 非显示区域包括信号线，连接线和金属触点。 连接线形成在第一图案化金属层中。 信号线和金属接触形成在第二图案化金属层中。 连接线通过第一通孔连接到信号线，并且连接线通过第二通孔连接到金属接触。 此外，还公开了制造薄膜晶体管阵列基板的方法。

    Court border module using display apparatus
    5.
    发明授权
    Court border module using display apparatus 有权
    法院边界模块使用显示装置

    公开(公告)号：US08884869B2

    公开(公告)日：2014-11-11

    申请号：US13612864

    申请日：2012-09-13

    申请人： Yao-Chou Tsai ,  Fang-An Shu ,  Chia-Chun Yeh ,  Ted-Hong Shinn

    发明人： Yao-Chou Tsai ,  Fang-An Shu ,  Chia-Chun Yeh ,  Ted-Hong Shinn

    IPC分类号： G09G3/34 ,  A63C19/06

    CPC分类号： A63B71/0605 ,  A63B2071/0611

    摘要： A court border module using a display apparatus is disclosed, which uses piezoelectric elements to drive the display apparatus. When a ball hits a court border, which is defined by the display apparatus, a force is applied to the piezoelectric elements which then generate power to drive the corresponding part of the display apparatus. The color of the part of the display apparatus hit by the ball is switched. Therefore the change in the color of the court border can be observed by officials and others to instantly and objectively determine whether the ball has hit the court border.

    摘要翻译： 公开了使用显示装置的法庭边界模块，其使用压电元件来驱动显示装置。 当球撞到由显示装置限定的球场边界时，向压电元件施加力，然后产生动力以驱动显示装置的相应部分。 由球击中的显示装置的一部分的颜色被切换。 因此，官方和其他人可以观察到法院边界颜色的变化，以便即时和客观地确定球是否已经触及法庭边界。

    Transparent display apparatus with transparent electroluminescent display unit
    7.
    发明授权
    Transparent display apparatus with transparent electroluminescent display unit 有权
    具透明电致发光显示单元的透明显示装置

    公开(公告)号：US08686407B2

    公开(公告)日：2014-04-01

    申请号：US13569549

    申请日：2012-08-08

    申请人： Fang-An Shu ,  Yao-Chou Tsai ,  Wen-Chung Tang ,  Ted-Hong Shinn

    发明人： Fang-An Shu ,  Yao-Chou Tsai ,  Wen-Chung Tang ,  Ted-Hong Shinn

    IPC分类号： H01L27/32

    CPC分类号： H01L27/3262 ,  H01L27/326

    摘要： A display apparatus includes a driving substrate and an organic light emitting diode device. The driving substrate includes a display area, a non-display area, a substrate and a transparent driving element. The transparent driving element is disposed in the non-display area to form a transparent region. The organic light emitting diode device is disposed over the driving substrate and located in the display area to form a non-transparent region.

    摘要翻译： 显示装置包括驱动基板和有机发光二极管装置。 驱动基板包括显示区域，非显示区域，基板和透明驱动元件。 透明驱动元件设置在非显示区域中以形成透明区域。 有机发光二极管装置设置在驱动基板上并且位于显示区域中以形成不透明区域。

    DISPLAY DEVICE, LASER TRANSFER PRINTING METHOD AND LASER TRANSFER COLOR DONOR SHEET
    9.
    发明申请
    DISPLAY DEVICE, LASER TRANSFER PRINTING METHOD AND LASER TRANSFER COLOR DONOR SHEET 有权
    显示设备，激光转印打印方法和激光转印色彩表

    公开(公告)号：US20110315989A1

    公开(公告)日：2011-12-29

    申请号：US12979873

    申请日：2010-12-28

    申请人： Fang-An Shu ,  Ted-Hong Shinn ,  Yao-Chou Tsai ,  Wen-Chung Tang

    发明人： Fang-An Shu ,  Ted-Hong Shinn ,  Yao-Chou Tsai ,  Wen-Chung Tang

    IPC分类号： H01L33/08 ,  B32B37/16 ,  B41M5/46

    CPC分类号： B32B37/025 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2457/20 ,  B41M5/38214 ,  B41M5/426 ,  B41M5/44 ,  B41M2205/02 ,  B41M2205/38 ,  G02F1/133516 ,  G02F2001/133519 ,  H01L51/0013

    摘要： A display device includes a thin film transistor substrate, a display layer, a patterned color resist layer, a patterned UV block layer and a transparent protective layer. The thin film transistor substrate has a substrate and a plurality of thin film transistors. The display layer is disposed on the thin film transistor substrate. The patterned color resist layer is disposed on the display layer. The patterned UV block layer is disposed on the patterned color resist layer. The transparent protective layer is disposed on the patterned UV block layer. The present invention also provides a laser transfer printing method for fabricating the color resist layer and the patterned UV block layer.

    摘要翻译： 显示装置包括薄膜晶体管基板，显示层，图案化的抗蚀剂层，图案化UV阻挡层和透明保护层。 薄膜晶体管基板具有基板和多个薄膜晶体管。 显示层设置在薄膜晶体管基板上。 图案化的抗蚀剂层设置在显示层上。 图案化UV阻挡层设置在图案化的抗蚀剂层上。 透明保护层设置在图案化的UV阻挡层上。 本发明还提供了用于制造抗彩层和图案化UV阻挡层的激光转印印刷方法。