公开(公告)号：US09006065B2

公开(公告)日：2015-04-14

申请号：US13648127

申请日：2012-10-09

Applicant: Advanced Ion Beam Technology, Inc.

Inventor： Tzu-Shih Yen ,  Daniel Tang ,  Tsungnan Cheng

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/785

Abstract: In plasma doping a non-planar semiconductor device, a substrate having a non-planar semiconductor body formed thereon is obtained. The substrate having the non-planar semiconductor body may be placed into a chamber. A plasma may be formed in the chamber and the plasma may contain dopant ions. A first bias voltage may be generated to implant dopant ions into a region of the non-planar semiconductor body. A second bias voltage may be generated to implant dopant ions into the same region. In one example, the first bias voltage and the second bias voltage may be different.

Abstract translation: 在等离子体掺杂非平面半导体器件中，获得其上形成有非平面半导体体的衬底。 具有非平面半导体本体的基板可以放置在室中。 等离子体可以在室中形成，等离子体可以含有掺杂离子。 可以产生第一偏置电压以将掺杂剂离子注入到非平面半导体本体的区域中。 可以产生第二偏置电压以将掺杂剂离子注入到相同的区域中。 在一个示例中，第一偏置电压和第二偏置电压可以不同。