公开(公告)号：US09171616B2

公开(公告)日：2015-10-27

申请号：US14165136

申请日：2014-01-27

Applicant: Macronix International Co., Ltd.

Inventor： Ren-Shuo Liu ,  De-Yu Shen ,  Chia-Lin Yang ,  Ye-Jyun Lin ,  Cheng-Yuan Wang

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0064 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0069

Abstract: A method for operating a memory includes receiving a command to program a data value at a memory cell, and an indication of which write mode in a plurality of write modes to use. Write modes in the plurality are characterized by different sets of resistance ranges that correspond to data values stored in the memory cell. The method includes executing a program operation according to the indicated one in the plurality of write modes to program the data value in the memory cell. The plurality of write modes includes a first write mode and a second write mode corresponding to shorter data retention than the first write mode. The first and second write modes are characterized by first and second sets of resistance ranges in the different sets of resistance ranges. The method includes periodically refreshing data values in memory cells storing data in the second write mode.

Abstract translation: 一种用于操作存储器的方法包括接收对存储器单元的数据值进行编程的命令以及使用多种写入模式中的哪个写入模式的指示。 多个中的写入模式的特征在于对应于存储在存储单元中的数据值的不同的电阻范围。 该方法包括根据多个写入模式中指示的一个执行程序操作，以对存储单元中的数据值进行编程。 多个写入模式包括对应于比第一写入模式更短的数据保持的第一写入模式和第二写入模式。 第一和第二写入模式的特征在于不同的电阻范围集中的第一组和第二组电阻范围。 该方法包括在存储第二写入模式的数据的存储单元中周期性地刷新数据值。

公开(公告)号：US20150043274A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：US14165136

申请日：2014-01-27

Applicant: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

Inventor： Ren-Shuo Liu ,  De-Yu Shen ,  Chia-Lin Yang ,  Ye-Jyun Lin ,  Cheng-Yuan Wang

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0064 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0069

Abstract: A method for operating a memory includes receiving a command to program a data value at a memory cell, and an indication of which write mode in a plurality of write modes to use. Write modes in the plurality are characterized by different sets of resistance ranges that correspond to data values stored in the memory cell. The method includes executing a program operation according to the indicated one in the plurality of write modes to program the data value in the memory cell. The plurality of write modes includes a first write mode and a second write mode corresponding to shorter data retention than the first write mode. The first and second write modes are characterized by first and second sets of resistance ranges in the different sets of resistance ranges. The method includes periodically refreshing data values in memory cells storing data in the second write mode.

Abstract translation: 一种用于操作存储器的方法包括接收对存储器单元的数据值进行编程的命令以及使用多种写入模式中的哪个写入模式的指示。 多个中的写入模式的特征在于对应于存储在存储单元中的数据值的不同的电阻范围。 该方法包括根据多个写入模式中指示的一个执行程序操作，以对存储单元中的数据值进行编程。 多个写入模式包括对应于比第一写入模式更短的数据保持的第一写入模式和第二写入模式。 第一和第二写入模式的特征在于不同的电阻范围集中的第一组和第二组电阻范围。 该方法包括在存储第二写入模式的数据的存储单元中周期性地刷新数据值。