公开(公告)号：US20120043583A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US12859801

申请日：2010-08-20

申请人： Michel J. ABOU-KHALIL ,  Shunhua T. CHANG ,  Kiran V. CHATTY ,  Robert J. GAUTHIER, JR. ,  Junjun LI ,  Mujahid MUHAMMAD

发明人： Michel J. ABOU-KHALIL ,  Shunhua T. CHANG ,  Kiran V. CHATTY ,  Robert J. GAUTHIER, JR. ,  Junjun LI ,  Mujahid MUHAMMAD

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L29/74 ,  H01L21/332 ,  G06F17/50

CPC分类号： H01L29/7412 ,  H01L27/0262

摘要： A low leakage, low capacitance diode based triggered electrostatic discharge (ESD) silicon controlled rectifiers (SCR), methods of manufacture and design structure are provided. The method includes providing a silicon film on an insulator layer. The method further includes forming isolation regions which extend from an upper side of the silicon layer to the insulator layer. The method further includes forming one or more diodes in the silicon layer, including a p+ region and an n+ region formed in a well bordered by the isolation regions. The isolation regions isolate the one or more diodes in a vertical direction and the insulator layer isolates the one or more diodes from an underlying P or N type substrate, in a horizontal direction.

摘要翻译： 提供了低泄漏，低电容二极管的触发静电放电（ESD）硅控整流器（SCR），制造方法和设计结构。 该方法包括在绝缘体层上提供硅膜。 该方法还包括形成从硅层的上侧延伸到绝缘体层的隔离区域。 该方法还包括在硅层中形成一个或多个二极管，包括形成在由隔离区界定的阱中的p +区和n +区。 隔离区域沿垂直方向隔离一个或多个二极管，并且绝缘体层在水平方向上将一个或多个二极管与下面的P或N型衬底隔离。

公开(公告)号：US20120178222A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US12985840

申请日：2011-01-06

申请人： Michel J. ABOU-KHALIL ,  Kiran V. Chatty ,  Robert J. Gauthier, JR. ,  Junjun Li

发明人： Michel J. ABOU-KHALIL ,  Kiran V. Chatty ,  Robert J. Gauthier, JR. ,  Junjun Li

IPC分类号： H01L21/33 ,  G06F17/50

CPC分类号： H01L27/0262 ,  G06F17/5045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/66393 ,  H01L29/7436

摘要： Silicon controlled rectifiers (SCR), methods of manufacture and design structures are disclosed herein. The method includes forming a common P-well on a buried insulator layer of a silicon on insulator (SOI) wafer. The method further includes forming a plurality of silicon controlled rectifiers (SCR) in the P-well such that N+ diffusion cathodes of each of the plurality of SCRs are coupled together by the common P-well.

摘要翻译： 本文公开了可控硅整流器（SCR），制造方法和设计结构。 该方法包括在绝缘体上硅（SOI）晶片的掩埋绝缘体层上形成公共P阱。 该方法还包括在P阱中形成多个可控硅整流器（SCR），使得多个SCR中的每一个的N +扩散阴极通过公共P阱耦合在一起。

公开(公告)号：US20120080717A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US12898013

申请日：2010-10-05

申请人： Michel J. ABOU-KHALIL ,  Robert J. GAUTHIER, JR. ,  Tom C. LEE ,  Junjun LI ,  Souvick MITRA ,  Christopher S. PUTNAM

发明人： Michel J. ABOU-KHALIL ,  Robert J. GAUTHIER, JR. ,  Tom C. LEE ,  Junjun LI ,  Souvick MITRA ,  Christopher S. PUTNAM

IPC分类号： H01L29/747 ,  G06F17/50 ,  H01L21/332

CPC分类号： H01L27/0262 ,  H01L29/747 ,  H01L29/87 ,  H02H9/04

摘要： Bi-directional back-to-back stacked SCRs for high-voltage pin ESD protection, methods of manufacture and design structures are provided. The device includes a symmetrical bi-directional back-to-back stacked silicon controlled rectifier (SCR). An anode of a first of the back-to-back stacked SCR is connected to an input. An anode of a second of the back-to-back stacked SCR is connected to ground. Cathodes of the first and second of the back-to-back stacked SCR are connected together. Each of the symmetrical bi-directional back-to-back SCRs include a pair of diodes directing current towards the cathodes which, upon application of a voltage, become reverse biased effectively and deactivating elements from one of the symmetrical bi-directional back-to-back SCRs while the diodes of another of the symmetrical bi-directional back-to-back SCRs direct current in the same direction as the reverse biased diodes.

摘要翻译： 提供用于高压针ESD保护的双向背对背堆叠SCR，制造方法和设计结构。 该器件包括对称双向背对背层叠可控硅整流器（SCR）。 背对背堆叠的SCR中的第一个的阳极连接到输入。 背对背堆叠的SCR的第二个的阳极连接到地面。 第一个和第二个背靠背堆叠的SCR的阴极连接在一起。 对称双向背靠背SCR中的每一个包括一对二极管，其引导电流朝向阴极，其在施加电压时有效地变得有效地反向偏置，并且从对称的双向后向SCR中的一个去激活元件， 另一个对称双向背对背SCR的二极管在与反向偏置二极管相同的方向上直流电流，反向SCR。

公开(公告)号：US20120181608A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13005560

申请日：2011-01-13

申请人： Michel J. ABOU-KHALIL ,  Robert J. GAUTHIER, JR. ,  Tom C. LEE ,  Junjun LI ,  Souvick MITRA ,  Christopher S. PUTNAM

发明人： Michel J. ABOU-KHALIL ,  Robert J. GAUTHIER, JR. ,  Tom C. LEE ,  Junjun LI ,  Souvick MITRA ,  Christopher S. PUTNAM

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0688 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78696

摘要： A method of forming a semiconductor structure, including forming a channel in a first portion of a semiconductor layer and forming a doped extension region in a second portion of the semiconductor layer abutting the channel on a first side and abutting an insulator material on a bottom side. The first portion of the semiconductor layer is thicker than the second portion of the semiconductor layer.

摘要翻译： 一种形成半导体结构的方法，包括在半导体层的第一部分中形成沟道并且在半导体层的第二部分中形成掺杂的延伸区域，所述第二部分邻近第一侧的沟道并且邻接底部的绝缘体材料 。 半导体层的第一部分比半导体层的第二部分厚。