公开(公告)号：US20160233360A1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：US14409653

申请日：2013-06-19

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE

Inventor： Jorg PALM ,  Stephan POHLNER ,  Thomas HAPP ,  Thomas DALIBOR ,  Roland DIETMULLER

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/03923 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/541

Abstract: The present invention relates to a layer system (1) for thin-film solar cells (100) and solar modules, comprising an absorber layer (4), which includes a chalcogenide compound semiconductor, and a buffer layer (5), which is arranged on the absorber layer (4) and includes halogen-enriched ZnxIn1-xSy with 0.01≦x≦0.9 and 1≦y≦2, wherein the buffer layer (5) consists of a first layer region (5.1) adjoining the absorber layer (4) with a halogen mole fraction A1 and a second layer region (5.2) adjoining the first layer region (5.1) with a halogen mole fraction A2 and the ratio A1/A2 is ≧2 and the layer thickness (d1) of the first layer region (5.1) is ≦50% of the layer thickness (d) of the buffer layer (5).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于薄膜太阳能电池（100）的层系统（1）和太阳能模块，其包括含有硫族化合物半导体的吸收层（4）和缓冲层（5） 在吸收层（4）上，并且包括具有0.01≤x≤0.9且1≤y≤2的富含卤素的Zn x In 1-x S y，其中缓冲层（5）由与吸收层（4）相邻的第一层区域 ）与卤素摩尔分数A1和邻接第一层区域（5.1）的第二层区域（5.2）与卤素摩尔分数A2比较，并且比率A1 / A2为≥2，第一层区域的层厚度（d1） （5.1）为缓冲层（5）的层厚度（d）的50％。