公开(公告)号：US20160322422A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：US15107977

申请日：2014-12-11

申请人： SONY CORPORATION

发明人： TAKASHI YOKOYAMA ,  TAKU UMEBAYASHI

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L29/04 ,  H01L29/768 ,  H01L43/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L21/823406 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/2454 ,  H01L29/045 ,  H01L29/42396 ,  H01L29/768 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846 ,  H01L43/02

摘要： A semiconductor device of the technology includes a first diffusion section (22), a second diffusion section (21), a channel section (23), a gate section (24), and a stress application section (31, 32, or 33). In a semiconductor layer (10) having a groove (10A), the first diffusion section (22) is formed at or in the vicinity of a bottom of the groove (10A), the second diffusion section (21) is formed at an upper end of the groove (10A), and the channel section (23) is formed between the first diffusion section (22) and the second diffusion section (21). The gate section (24) is buried in the groove (10A) at a position opposing the channel section (23). The stress application section (31, 32, or 33) applies one of compressive stress and tensile stress to the channel section (23) in a normal direction to the semiconductor layer (10).

摘要翻译： 该技术的半导体器件包括第一扩散部分（22），第二扩散部分（21），通道部分（23），栅极部分（24）和应力施加部分（31,32或33） 。 在具有槽（10A）的半导体层（10）中，第一扩散部（22）形成在槽（10A）的底部或其附近，第二扩散部（21）形成在上部 沟槽部分（23）形成在第一扩散部分（22）和第二扩散部分（21）之间。 栅极部分（24）在与沟道部分（23）相对的位置处埋在槽（10A）中。 应力施加部（31,32,33）在向半导体层（10）的法线方向向通道部（23）施加压缩应力和拉伸应力。