公开(公告)号：US20030171004A1

公开(公告)日：2003-09-11

申请号：US10379490

申请日：2003-03-04

Applicant: STMicroelectronics S.r.I.

Inventor： Michele Vulpio

IPC: H01L021/31 ,  C23C016/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/31663

Abstract: A method is for low-dielectric-constant film deposition on a surface of a semiconductor substrate. The deposition may be by chemical vapor deposition (CVD) techniques and may include a wide class of precursor monomeric compounds, namely organosilanes.

Abstract translation: 一种用于半导体衬底表面上的低介电常数膜沉积的方法。 沉积可以通过化学气相沉积（CVD）技术，并且可以包括广泛类型的前体单体化合物，即有机硅烷。