公开(公告)号：US20170010817A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：US15196726

申请日：2016-06-29

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Sun-Young LIM ,  Taeksoo KIM ,  Indong KIM ,  Hangu SOHN

IPC: G06F3/06 ,  G11C14/00

CPC classification number: G06F3/0604 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/064 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0665 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/7203 ,  G11C11/005 ,  G11C14/0018 ,  G11C14/0063

Abstract: Electronic devices and memory management methods thereof are provided. Memory management methods may include setting page data of a nonvolatile memory as a read/write mode, copying the page data of the nonvolatile memory to a dynamic random access memory (DRAM) and setting the page data of the DRAM copied from the nonvolatile memory as a read only mode.

Abstract translation: 提供电子设备及其存储器管理方法。 存储器管理方法可以包括将非易失性存储器的页数据设置为读/写模式，将非易失性存储器的页数据复制到动态随机存取存储器（DRAM），并将从非易失性存储器复制的DRAM的页数据设置为 只读模式。