公开(公告)号：US07944730B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US12412546

申请日：2009-03-27

申请人： Yiran Chen ,  Hai Li ,  Wengzhong Zhu ,  Xiaobin Wang ,  Ran Wang ,  Hongyue Liu

发明人： Yiran Chen ,  Hai Li ,  Wengzhong Zhu ,  Xiaobin Wang ,  Ran Wang ,  Hongyue Liu

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/79

摘要： A method of writing to a resistive sense memory unit includes applying a first voltage across a resistive sense memory cell and a semiconductor transistor to write a first data state to the resistive sense memory cell. The first voltage forms a first write current for a first time duration through the resistive sense memory cell in a first direction. Then the method includes applying a second voltage across the resistive sense memory cell and the transistor to write a second data state to the resistive sense memory cell. The second voltage forms a second write current for a second duration through the resistive sense memory cell in a second direction. The second direction opposes the first direction, the first voltage has a different value than the second voltage, and the first duration is substantially the same as the second duration.

摘要翻译： 写入电阻式读出存储器单元的方法包括在电阻读出存储单元和半导体晶体管两端施加第一电压以将第一数据状态写入电阻读出存储单元。 第一电压在第一方向通过电阻读出存储单元形成第一持续时间的第一写入电流。 然后，该方法包括在电阻读出存储单元和晶体管两端施加第二电压以将第二数据状态写入电阻读出存储单元。 第二电压在第二方向通过电阻读出存储器单元形成第二持续时间的第二写入电流。 第二方向与第一方向相反，第一电压具有与第二电压不同的值，并且第一持续时间基本上与第二持续时间相同。

公开(公告)号：US20100110762A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12412546

申请日：2009-03-27

申请人： Yiran Chen ,  Hai Li ,  Wengzhong Zhu ,  Xiaobin Wang ,  Ran Wang ,  Hongyue Liu

发明人： Yiran Chen ,  Hai Li ,  Wengzhong Zhu ,  Xiaobin Wang ,  Ran Wang ,  Hongyue Liu

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/79

摘要： A method of writing to a resistive sense memory unit includes applying a first voltage across a resistive sense memory cell and a semiconductor transistor to write a first data state to the resistive sense memory cell. The first voltage forms a first write current for a first time duration through the resistive sense memory cell in a first direction. Then the method includes applying a second voltage across the resistive sense memory cell and the transistor to write a second data state to the resistive sense memory cell. The second voltage forms a second write current for a second duration through the resistive sense memory cell in a second direction. The second direction opposes the first direction, the first voltage has a different value than the second voltage, and the first duration is substantially the same as the second duration.

摘要翻译： 写入电阻式读出存储器单元的方法包括在电阻读出存储单元和半导体晶体管两端施加第一电压以将第一数据状态写入电阻读出存储单元。 第一电压在第一方向通过电阻读出存储单元形成第一持续时间的第一写入电流。 然后，该方法包括在电阻读出存储单元和晶体管两端施加第二电压以将第二数据状态写入电阻读出存储单元。 第二电压在第二方向通过电阻读出存储器单元形成第二持续时间的第二写入电流。 第二方向与第一方向相反，第一电压具有与第二电压不同的值，并且第一持续时间基本上与第二持续时间相同。