公开(公告)号：USD321662S

公开(公告)日：1991-11-19

申请号：US361096

申请日：1989-06-05

申请人： Mitsuo Wada

设计人： Mitsuo Wada

公开(公告)号：USD321660S

公开(公告)日：1991-11-19

申请号：US342390

申请日：1989-04-24

申请人： Masahiro Aikawa

设计人： Masahiro Aikawa

公开(公告)号：USD321657S

公开(公告)日：1991-11-19

申请号：US364187

申请日：1989-06-09

申请人： Keiko Nomura

设计人： Keiko Nomura

公开(公告)号：US5053354A

公开(公告)日：1991-10-01

申请号：US535440

申请日：1990-06-08

申请人： Sakae Tanaka ,  Yoshiaki Watanabe ,  Katsuo Shirai ,  Yoshihisa Ogiwara

发明人： Sakae Tanaka ,  Yoshiaki Watanabe ,  Katsuo Shirai ,  Yoshihisa Ogiwara

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78669

摘要： A reverse staggered type silicon thin film transistor includes a substrate having a gate electrode; a gate insulating layer on the substrate and the gate electrode, the gate insulating layer having a transistor-forming portion; a lower layer silicon film on the transistor-forming portion of the gate insulating layer and in contact therewith, the lower layer silicon film being formed at a first temperature and with a first thickness; an upper layer silicon film formed on the transistor-forming portion of the gate insulating layer at a second temperature which is lower than the first temperature and with a second thickness greater than the first thickness; an n-type silicon layer on the upper layer silicon film and in contact therewith; a source electrode on the n-type silicon layer; and a drain electrode on the n-type silicon layer.

摘要翻译： 反向交错型硅薄膜晶体管包括具有栅电极的基板; 在所述基板上的栅极绝缘层和所述栅电极，所述栅极绝缘层具有晶体管形成部分; 在所述栅极绝缘层的所述晶体管形成部分上与其接触的下层硅膜，所述下层硅膜以第一温度和第一厚度形成; 在第二温度下形成在所述栅极绝缘层的所述晶体管形成部分上的上层硅膜，所述第二温度低于所述第一温度并且具有大于所述第一厚度的第二厚度; 在上层硅膜上并与其接触的n型硅层; n型硅层上的源电极; 和n型硅层上的漏电极。

公开(公告)号：USD320164S

公开(公告)日：1991-09-24

申请号：US252867

申请日：1988-10-03

申请人： Yoshimi Endo

设计人： Yoshimi Endo

公开(公告)号：US5047819A

公开(公告)日：1991-09-10

申请号：US551688

申请日：1990-07-12

申请人： Sakae Tanaka ,  Yoshiaki Watanabe

发明人： Sakae Tanaka ,  Yoshiaki Watanabe

IPC分类号： H01L21/768 ,  G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L23/4825 ,  H01L29/78669 ,  H01L2924/0002

摘要： A reverse staggered amorphous silicon thin film transistor array substrate includes an array of amorphous silicon thin film transistors, gate wiring interconnecting the gate electrodes of the amorphous silicon thin film transistors, and source wirings. The transistor array is provided on a thin film transistor array substrate. A protective insulation layer and an amorphous silicon layer having a greater width than the source wiring are provided under the source wiring.

摘要翻译： 反向交错非晶硅薄膜晶体管阵列基板包括非晶硅薄膜晶体管阵列，互连非晶硅薄膜晶体管的栅电极的栅极布线和源极布​​线。 晶体管阵列设置在薄膜晶体管阵列基板上。 在源极布线下方设置有比源极布线宽的保护绝缘层和非晶硅层。

公开(公告)号：USD319603S

公开(公告)日：1991-09-03

申请号：US243666

申请日：1988-09-12

申请人： Sumumu Ikuma

设计人： Sumumu Ikuma

公开(公告)号：USD319397S

公开(公告)日：1991-08-27

申请号：US230134

申请日：1988-08-09

申请人： Kayoko Kato

设计人： Kayoko Kato

公开(公告)号：USD319396S

公开(公告)日：1991-08-27

申请号：US243665

申请日：1988-09-12

申请人： Keiko Mayuzumi

设计人： Keiko Mayuzumi

公开(公告)号：US5041897A

公开(公告)日：1991-08-20

申请号：US599333

申请日：1990-10-17

申请人： Koji Machida ,  Hideyuki Nakamura ,  Hiroshi Tonegi

发明人： Koji Machida ,  Hideyuki Nakamura ,  Hiroshi Tonegi

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L23/525 ,  H01L27/10

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002

摘要： A semiconductor device has a fuse element formed on an insulating substrate, and a first insulating layer formed on the substrate and covering the fuse element. Further insulation on the first insulating layer nitride has an opening exposing the region of the first insulating layer above said fuse.

摘要翻译： 半导体器件具有形成在绝缘基板上的熔丝元件和形成在基板上并覆盖熔丝元件的第一绝缘层。 在第一绝缘层氮化物上的进一步绝缘具有使第一绝缘层的区域暴露在所述熔丝之上的开口。