公开(公告)号：US08673959B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US12107508

申请日：2008-04-22

申请人： Yuning Li ,  Beng S Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Beng S Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： A61K31/40 ,  C07D487/04

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C07D487/04 ,  C08G61/124 ,  C08G61/126

摘要： A polymer comprising at least one type of repeat unit comprising at least one type of an optionally substituted indolocarbazole moiety and at least one divalent linkage.

摘要翻译： 包含至少一种类型的重复单元的聚合物，其包含至少一种类型的任选取代的吲哚咔唑部分和至少一种二价键。

公开(公告)号：US08613870B2

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：US13359590

申请日：2012-01-27

申请人： Anthony James Wigglesworth ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Anthony James Wigglesworth ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： H01B1/00

CPC分类号： C08F128/06 ,  H01B1/127

摘要： A polymer of Formula (I) wherein Ar, Y, Z, R3, R4, k, m, x, and n are as described herein. The isothioindigo-based polymer may be used in a semiconducting layer of an electronic device.

摘要翻译： 其中Ar，Y，Z，R 3，R 4，k，m，x和n的式（I）的聚合物如本文所述。 异硫靛红基聚合物可用于电子器件的半导体层。

公开(公告)号：US08563851B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13424221

申请日：2012-03-19

申请人： Yiliang Wu ,  Anthony J. Wigglesworth ,  Ping Liu

发明人： Yiliang Wu ,  Anthony J. Wigglesworth ,  Ping Liu

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L51/0558 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0036

摘要： A method including activating an electronic device, such as an organic thin film transistor, by exposing the device to non-ionizing radiation while the device is under an electrical field. Activation of the transistor increases the field effect mobility of the transistor.

摘要翻译： 一种方法，包括通过在器件处于电场的情况下将器件暴露于非电离辐射而激活诸如有机薄膜晶体管的电子器件。 晶体管的激活增加了晶体管的场效应迁移率。

公开(公告)号：US20120161109A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US12977433

申请日：2010-12-23

申请人： Anthony James Wigglesworth ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Matthew A. Heuft

发明人： Anthony James Wigglesworth ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Matthew A. Heuft

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01B1/12 ,  C07D333/50

CPC分类号： C07D495/04 ,  C07D519/00

摘要： Disclosed is a small molecule semiconductor of Formula (I): wherein R1 and R2 are as described herein. The compound is useful in a semiconducting layer for an electronic device, such as a thin-film transistor. Devices including the compound exhibit high mobility and excellent stability.

摘要翻译： 公开了式（I）的小分子半导体：其中R1和R2如本文所述。 该化合物可用于诸如薄膜晶体管的电子器件的半导体层。 包括该化合物的装置表现出高移动性和优异的稳定性。

公开(公告)号：US20120034736A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13277383

申请日：2011-10-20

申请人： Yiliang Wu ,  Hualong Pan ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith

发明人： Yiliang Wu ,  Hualong Pan ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith

IPC分类号： H01B1/12 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566 ,  Y10T428/254 ,  Y10T428/258

摘要： A thin film transistor having a semiconducting layer with improved flexibility and/or mobility is disclosed. The semiconducting layer comprises a semiconducting polymer and insulating polymer. Methods for forming and using such thin-film transistors are also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种具有提高柔性和/或迁移率的半导体层的薄膜晶体管。 半导电层包括半导体聚合物和绝缘聚合物。 还公开了形成和使用这种薄膜晶体管的方法。

公开(公告)号：US08039833B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12783595

申请日：2010-05-20

申请人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Lu Jiang ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu

发明人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Lu Jiang ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device containing a polythiophene wherein R represents a side chain, m represents the number of R substituents; A is a divalent linkage; x, y and z represent, respectively, the number of Rm substituted thienylenes, unsubstituted thienylenes, and divalent linkages A, respectively, in the monomer segment subject to z being 0 or 1, and n represents the number of repeating monomer segments in the polymer or the degree of polymerization.

公开(公告)号：US07875878B2

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：US11946991

申请日：2007-11-29

申请人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith ,  Hadi K. Mahabadi

发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith ,  Hadi K. Mahabadi

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0049 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

摘要： A thin film transistor has a semiconducting layer comprising a semiconductor and a mixture enriched in metallic carbon nanotubes. The semiconducting layer has improved charge carrier mobility.

摘要翻译： 薄膜晶体管具有包含半导体的半导体层和富含金属碳纳米管的混合物。 半导电层具有改善的电荷载流子迁移率。

公开(公告)号：US07872258B2

公开(公告)日：2011-01-18

申请号：US12273589

申请日：2008-11-19

申请人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Paul F. Smith

发明人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Paul F. Smith

IPC分类号： H01L51/00 ,  C07D495/00

CPC分类号： C07D495/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin-film transistor uses a semiconducting layer comprising a semiconducting material of (A): where X, Ar, Ar′, R1, R2, R3, R4, R5, a, b, m, and n are as defined herein. The transistor has improved performance.

摘要翻译： 薄膜晶体管使用包含（A）的半导体材料的半导体层：其中X，Ar，Ar'，R 1，R 2，R 3，R 4，R 5，a，b，m和n如本文所定义。 晶体管性能提高。

公开(公告)号：US07847052B2

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US11399065

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： C08G61/12 ,  C08G61/122 ,  C08G73/0694

摘要： A polymer of the following formula wherein Ar is aryl or heteroaryl; X represents CH2, sulfur, oxygen, selenium, NR′, or SiR″2 wherein R′ and R″ are each a suitable hydrocarbon; m represents the number of X substituents; and n represents the number of the repeating units.

摘要翻译： 下式的聚合物，其中Ar是芳基或杂芳基; X表示CH 2，硫，氧，硒，NR'或SiR“2，其中R'和R”各自为合适的烃; m表示X取代基的数量; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US07834132B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US11586449

申请日：2006-10-25

申请人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device, such as a thin film transistor containing a semiconductor of Formula/Structure wherein R, R′ and R″ are, for example, independently hydrogen, a suitable hydrocarbon, a suitable hetero-containing group, a halogen, or mixtures thereof; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 电子器件，例如含有式/结构的半导体的薄膜晶体，其中R，R'和R“例如独立地为氢，合适的烃，合适的含杂原子基团，卤素或其混合物 ; n表示重复单元的数量。