公开(公告)号：US06794731B2

公开(公告)日：2004-09-21

申请号：US09169218

申请日：1998-10-09

申请人： Stephen A. Stockman ,  Daniel A. Steigerwald ,  Changhua Chen

发明人： Stephen A. Stockman ,  Daniel A. Steigerwald ,  Changhua Chen

IPC分类号： H01L29167

CPC分类号： H01L33/305 ,  H01L29/207 ,  H01S5/305 ,  Y10S257/918

摘要： A method for improving the operating stability of compound semiconductor minority carrier devices and the devices created using this method are described. The method describes intentional introduction of impurities into the layers adjacent to the active region, which impurities act as a barrier to the degradation process, particularly undesired defect formation and propagation. A preferred embodiment of the present invention uses O doping of III-V optoelectronic devices during an epitaxial growth process to improve the operating reliability of the devices.

摘要翻译： 描述了一种用于提高化合物半导体少数载流子器件的操作稳定性的方法以及使用该方法制造的器件。 该方法描述了有意将杂质引入邻近有源区的层中，杂质作为降解过程的障碍，特别是不期望的缺陷形成和传播。 本发明的优选实施例在外延生长过程中使用III-V光电子器件的O掺杂来提高器件的工作可靠性。

公开(公告)号：US06657300B2

公开(公告)日：2003-12-02

申请号：US09755935

申请日：2001-01-05

申请人： Werner K. Goetz ,  Michael D. Camras ,  Changhua Chen ,  Gina L. Christenson ,  R. Scott Kern ,  Chihping Kuo ,  Paul Scott Martin ,  Daniel A. Steigerwald

发明人： Werner K. Goetz ,  Michael D. Camras ,  Changhua Chen ,  Gina L. Christenson ,  R. Scott Kern ,  Chihping Kuo ,  Paul Scott Martin ,  Daniel A. Steigerwald

IPC分类号： H01L2348

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

摘要： P-type layers of a GaN based light-emitting device are optimized for formation of Ohmic contact with metal. In a first embodiment, a p-type GaN transition layer with a resistivity greater than or equal to about 7 &OHgr;cm is formed between a p-type conductivity layer and a metal contact. In a second embodiment, the p-type transition layer is any III-V semiconductor. In a third embodiment, the p-type transition layer is a superlattice. In a fourth embodiment, a single p-type layer of varying composition and varying concentration of dopant is formed.

摘要翻译： GaN基发光器件的P型层优化用于形成与金属的欧姆接触。 在第一实施例中，在p型导电层和金属触点之间形成电阻率大于或等于约7Ωgm的p型GaN过渡层。 在第二实施例中，p型过渡层是任何III-V半导体。 在第三实施例中，p型过渡层是超晶格。 在第四实施例中，形成具有不同组成和不同浓度的掺杂剂的单一p型层。