公开(公告)号：US20070224814A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11387468

申请日：2006-03-22

申请人： Ngoc Le ,  Jeffrey Baker ,  Diana Convey ,  Steven Smith ,  Paige Holm

发明人： Ngoc Le ,  Jeffrey Baker ,  Diana Convey ,  Steven Smith ,  Paige Holm

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： G01J3/26 ,  G02B5/284

摘要： A method is provided for forming a monolithically integrated optical filter, for example, a Fabry-Perot filter, over a substrate (10). The method comprises forming a first mirror (16) over the substrate (10). A plurality of etalon material layers (32, 34, 36, 38) are formed over the mirror (16), and a plurality of etch stop layers (42, 44, 46) are formed, one each between adjacent etalon material layers (32, 34, 36, 38). A photoresist is patterned to create an opening (54) over the top etalon material layer (38) and an etch (56) is performed down to the top etch stop layer (46). An oxygen plasma (58) may be applied to convert the etch stop layer (46) within the opening (54) to silicon dioxide (57). The photoresist patterning, etching, and applying of an oxygen plasma may be repeated as desired to obtain the desired number of levels (82, 84, 86, 88). A second mirror (72) is then formed on each of the levels (82, 84, 86, 88).

摘要翻译： 提供了一种用于在衬底（10）上形成单片集成滤光器（例如法布里 - 珀罗滤光片）的方法。 该方法包括在衬底（10）上形成第一反射镜（16）。 多个标准具材料层（32,34,36,38）形成在反射镜（16）上方，并且形成多个蚀刻停止层（42,44,46），每个蚀刻停止层之间相邻的标准具材料层（32 ，34,36,38）。 图案化光致抗蚀剂以在顶部标准具材料层（38）上方形成开口（54），并且向下蚀刻停止层（46）进行蚀刻（56）。 可以施加氧等离子体（58）以将开口（54）内的蚀刻停止层（46）转化为二氧化硅（57）。 可以根据需要重复光刻胶图案化，蚀刻和施加氧等离子体以获得所需数量的水平（82,84,86,88）。 然后在每个级（82,84,86,88）上形成第二反射镜（72）。

公开(公告)号：US20060110914A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US10995800

申请日：2004-11-22

申请人： Kathy Gehoski ,  William Dauksher ,  Ngoc Le ,  Douglas Resnick

发明人： Kathy Gehoski ,  William Dauksher ,  Ngoc Le ,  Douglas Resnick

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

摘要： A direct imprinting process for Step and Flash Imprint Lithography includes providing (40) a substrate (12); forming (44) an etch barrier layer (14) on the substrate; patterning (46) the etch barrier layer with a template (16) while curing with ultraviolet light through the template, resulting in a patterned etch barrier layer and a residual layer (20) on the substrate; and performing (48) an etch to substantially remove the residual layer. Optionally, a patterning layer (52) may be formed on the substrate (12) prior to forming the etch barrier layer (14). Additionally, an adhesive layer (13) may be applied (42) between the substrate (12) and the etch barrier layer (14).

摘要翻译： 步进和闪光印记光刻技术的直接印刷工艺包括提供（40）基材（12）; 在衬底上形成（44）蚀刻阻挡层（14）; 在通过模板的紫外线固化的同时用模板（16）对蚀刻阻挡层进行图案化（46），从而在衬底上产生图案化的蚀刻阻挡层和残余层（20）; 并执行（48）蚀刻以基本上去除残留层。 可选地，在形成蚀刻阻挡层（14）之前，可以在衬底（12）上形成图案化层（52）。 另外，可以在衬底（12）和蚀刻阻挡层（14）之间施加粘合剂层（13）（42）。

公开(公告)号：US20070280010A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11442818

申请日：2006-05-30

申请人： Henry Nguyen ,  Ngoc Le

发明人： Henry Nguyen ,  Ngoc Le

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C5/14

CPC分类号： G11C5/14 ,  G11C5/04 ,  G11C11/4074

摘要： A memory module is disclosed. The memory module comprises a voltage supply; a memory interface coupled to the voltage supply; a plurality of memory components; and a voltage stabilizer converter (VSC) coupled to the memory interface and to the plurality of memory components, the VSC for ensuring that the plurality of memory components operate at their optimum performance level. A voltage stabilizer memory module (VSMM) in accordance with the present invention includes a printed circuit board (PCB) that contains memory chips, discrete components, a voltage stabilizer converter, and other related components. The voltage stabilizer converter uses system voltage supply as its input and its output is the voltage supply for the DRAM components. Accordingly, the VSSM is more adaptable, more stable and has better performance than conventional memory modules.

摘要翻译： 公开了一种存储器模块。 存储器模块包括电压源; 耦合到电压源的存储器接口; 多个存储器组件; 以及耦合到存储器接口和多个存储器组件的稳压器转换器（VSC），VSC用于确保多个存储器组件以其最佳性能水平运行。 根据本发明的稳压器存储器模块（VSMM）包括包含存储器芯片的印刷电路板（PCB），分立元件，稳压器转换器和其它相关元件。 稳压器转换器采用系统电压作为输入，其输出为DRAM组件的电源。 因此，VSSM比传统的内存模块更适应，更稳定，性能更好。