公开(公告)号：US06181186B2

公开(公告)日：2001-01-30

申请号：US09337678

申请日：1999-06-22

申请人： Yukio Itoh ,  Takao Arai

发明人： Yukio Itoh ,  Takao Arai

IPC分类号： H03K508

CPC分类号： H03K17/0822

摘要： A semiconductor device enables a semiconductor element to turn off accurately and quickly at the time of short circuit of the load to protect the semiconductor element from the short circuit of the load. The semiconductor device comprises a first switching measure for turning on/off a current flowing into the load, a current detector for detecting current flowing into the load, a second switching measure for turning on/off a connection between the current detector and the load, and a controller for controlling the first switching measure and the second switching measure. The controller turns on the first switching measure, before turning on the second switching measure at the start of driving of the load. The current detector turns off the first switching measure when detecting excess current.

摘要翻译： 半导体器件使半导体元件能够在负载短路时精确而快速地关断，以保护半导体元件免受负载的短路。 半导体器件包括用于接通/关断流入负载的电流的第一开关测量，用于检测流入负载的电流的电流检测器，用于接通/断开电流检测器与负载之间的连接的第二切换措施， 以及控制器，用于控制第一切换措施和第二切换措施。 控制器打开第一个开关量程，然后在开始负载开始时打开第二个开关量程。 当检测到过电流时，电流检测器关闭第一个开关量程。

公开(公告)号：US5703390A

公开(公告)日：1997-12-30

申请号：US550863

申请日：1995-10-31

申请人： Yukio Itoh

发明人： Yukio Itoh

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L27/088 ,  H01L29/7802

摘要： A semiconductor device including first, second, third and fourth MOSFETs constituting an H bridge circuit. Each of the first and second MOSFETs is a vertical DMOSFET and each of the third and fourth MOSFETs is a lateral DMOSFET having a surface diffusion region formed in a portion of a drain region. The surface diffusion region has a conductivity type opposite that of a source region of the lateral DMOSFET and is electrically connected to the source region. Each of the surface diffusion regions may be made of a part of a channel stop region formed under a field insulator film. Each of the third and fourth MOSFETs may be a lateral DMOSFET having no surface diffusion region. Low on-resistance and small chip size of the device are obtained.

摘要翻译： 一种包括构成H桥电路的第一，第二，第三和第四MOSFET的半导体器件。 第一和第二MOSFET中的每一个是垂直DMOSFET，并且第三和第四MOSFET中的每一个是具有在漏极区域的一部分中形成的表面扩散区域的横向DMOSFET。 表面扩散区具有与横向DMOSFET的源极区相反的导电类型，并且电连接到源极区。 每个表面扩散区域可以由形成在场绝缘膜下面的沟道阻挡区域的一部分制成。 第三和第四MOSFET中的每一个可以是没有表面扩散区域的横向DMOSFET。 获得了器件的低导通电阻和小芯片尺寸。

公开(公告)号：US5696518A

公开(公告)日：1997-12-09

申请号：US549700

申请日：1995-11-15

申请人： Yukio Itoh ,  Tadashi Yasuoka ,  Ryoji Amemiya

发明人： Yukio Itoh ,  Tadashi Yasuoka ,  Ryoji Amemiya

IPC分类号： G04G17/04 ,  G04G17/08 ,  G04G99/00 ,  G04R20/08 ,  G04R20/26 ,  G04R60/06 ,  H01Q1/27 ,  H04B1/08 ,  H04B1/38 ,  H01Q1/12

CPC分类号： G04G21/04 ,  G04R60/00 ,  H01Q1/273 ,  H04B1/385 ,  H04B1/086

摘要： An antenna device used for portable electronic appliances such as electronic wristwatches furnished with a reception function. Antenna device 100 is bent conforming to the side of watch case 201 and installed on the side of watch case 201. The antenna device is composed of an antenna 110 and an antenna case 150 in which the antenna 110 is housed. The antenna case is made of or coated with a non-metallic material and formed separately from a watch case made of a metallic material. In addition, the antenna case is fixed to watch case 201 with screws 152 at positions apart from the extended line P of antenna core 111.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP94 / 01219 Sec。 371日期：1995年11月15日 102（e）日期1995年11月15日PCT 1994年7月25日PCT公布。 WO95 / 27928 PCT公开 1995年10月19日的日期用于具有接收功能的电子手表等便携式电子设备的天线装置。 天线装置100被弯曲成符合表壳201的侧面并且安装在表壳201的侧面上。天线装置由天线110和天线110被容纳在天线壳体150内。 天线箱由非金属材料制成或涂覆，并与金属材料制成的表壳分开形成。 此外，天线壳体在与天线芯111的延伸线P分开的位置处以螺钉152固定到手表壳体201。