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11.发明授权Method of fabricating an integrated circuit with gate self-protection, and an integrated circuit with gate self-protection 有权具有栅极自保护的集成电路的制造方法和具有栅极自保护的集成电路公开(公告)号：US08294218B2
公开(公告)日：2012-10-23
申请号：US12796386
申请日：2010-06-08
IPC分类号： H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0623 , H01L21/8249 , H01L27/0251 , H01L27/0705
摘要： An integrated circuit with gate self-protection comprises a MOS device and a bipolar device, wherein the integrated circuit further comprises a semiconductor layer with electrically active regions in which and on which the MOS device and the bipolar device are formed and electrically inactive regions for isolating the electrically active regions from each other. The MOS device comprises a gate structure and a body contacting structure, wherein the body contacting structure is formed of a base layer deposited in a selected region over an electrically active region of the semiconductor layer, and the body contacting structure is electrically connected with the gate structure. The base layer forming the body contacting structure also forms the base of the bipolar device. The present invention further relates to a method for fabricating such an integrated circuit.
摘要翻译： 具有栅极自保护的集成电路包括MOS器件和双极器件，其中所述集成电路还包括具有电活性区域的半导体层，在其上形成MOS器件和双极器件，并且在其上形成用于隔离的电无活性区域 电活性区域彼此。 MOS器件包括栅极结构和体接触结构，其中所述体接触结构由沉积在所述半导体层的电活性区域上的选定区域中的基底层形成，并且所述体接触结构与所述栅极电连接 结构体。 形成身体接触结构的基层也形成双极器件的基部。 本发明还涉及一种用于制造这种集成电路的方法。
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12.发明授权公开(公告)号：US08932942B2
公开(公告)日：2015-01-13
申请号：US12729682
申请日：2010-03-23
CPC分类号： H01L21/743 , H01L21/02532 , H01L21/02639 , H01L21/84
摘要： Method of forming an electrical contact between a support wafer and a surface of a top silicon layer of a silicon-on-insulator wafer. The method comprises etching a cavity into the top silicon layer and the insulator layer. A selective epitaxial step is performed for growing an epitaxial layer of silicon inside the cavity up to the surface of the top silicon layer. An electrical device comprising an electrical contact between a support wafer and a surface of a top silicon layer of a silicon-on-insulator wafer formed according to the inventive method.
摘要翻译： 在支撑晶片和绝缘体上硅晶片的顶部硅层的表面之间形成电接触的方法。 该方法包括将空腔蚀刻到顶部硅层和绝缘体层中。 执行选择性外延步骤，以在空腔内生长直到顶部硅层的表面的硅外延层。 一种电气装置，其包括根据本发明方法形成的在支撑晶片和绝缘体上硅晶片的顶部硅层的表面之间的电接触。
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公开(公告)号：US08330223B2
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：US12874403
申请日：2010-09-02
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L29/737 , H01L21/76232 , H01L29/0649 , H01L29/66242
摘要： A bipolar transistor has a collector having a base layer provided thereon and a shallow trench isolation structure formed therein. A base poly layer is provided on the shallow trench isolation structure. The shallow trench isolation structure defines a step such that a surface of the collector projects from the shallow trench isolation structure adjacent the collector.
摘要翻译： 双极晶体管具有设置在其上的基极层和在其中形成的浅沟槽隔离结构的集电极。 在浅沟槽隔离结构上设置基底多层。 浅沟槽隔离结构限定了一个步骤，使得集电器的表面从邻近收集器的浅沟槽隔离结构突出。
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公开(公告)号：US09090991B2
公开(公告)日：2015-07-28
申请号：US13278723
申请日：2011-10-21
CPC分类号： C30B25/16 , C30B23/002 , C30B23/06 , C30B25/10 , C30B29/52
摘要： A system for controlling an epitaxial growth process in an epitaxial reactor. The system includes a processor for setting up a modeled output parameter value as a linear function of the actual output parameter value and a second set of thermocouple offset parameter values. The processor also determines a distance between a target output parameter value and the modeled output parameter value.
摘要翻译： 一种用于控制外延反应器中的外延生长工艺的系统。 该系统包括用于将建模的输出参数值设置为实际输出参数值的线性函数和第二组热电偶偏移参数值的处理器。 处理器还确定目标输出参数值与建模的输出参数值之间的距离。
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15.发明申请公开(公告)号：US20080251007A1
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：US12061474
申请日：2008-04-02
CPC分类号： C30B25/16 , C30B23/002 , C30B23/06 , C30B25/10 , C30B29/52
摘要： A method of controlling an epitaxial growth process in an epitaxial reactor and a system for controlling an epitaxial growth process in an epitaxial reactor.
摘要翻译： 控制外延反应器中的外延生长工艺的方法和用于控制外延反应器中的外延生长工艺的系统。
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16.发明授权公开(公告)号：US08940093B2
公开(公告)日：2015-01-27
申请号：US12061474
申请日：2008-04-02
CPC分类号： C30B25/16 , C30B23/002 , C30B23/06 , C30B25/10 , C30B29/52
摘要： A method of controlling an epitaxial growth process in an epitaxial reactor. The method includes optimizing the thermocouple offset parameter for a second run by setting up a modeled output parameter value as a linear function of the actual output parameter value, and a second thermocouple offset parameter value.
摘要翻译： 一种在外延反应器中控制外延生长工艺的方法。 该方法包括通过将建模的输出参数值设置为实际输出参数值的线性函数和第二热电偶偏移参数值来优化第二次运行的热电偶偏移参数。
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公开(公告)号：US20120035768A1
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：US13278723
申请日：2011-10-21
CPC分类号： C30B25/16 , C30B23/002 , C30B23/06 , C30B25/10 , C30B29/52
摘要： A system for controlling an epitaxial growth process in an epitaxial reactor. The system includes a processor for setting up a modeled output parameter value as a linear function of the actual output parameter value and a second set of thermocouple offset parameter values. The processor also determines a distance between a target output parameter value and the modeled output parameter value
摘要翻译： 一种用于控制外延反应器中的外延生长工艺的系统。 该系统包括用于将建模的输出参数值设置为实际输出参数值的线性函数和第二组热电偶偏移参数值的处理器。 处理器还确定目标输出参数值与建模的输出参数值之间的距离
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