公开(公告)号：US06403388B1

公开(公告)日：2002-06-11

申请号：US09755005

申请日：2001-01-05

申请人： Jeffrey D. Birdsley ,  Michael R. Bruce ,  Brennan V. Davis ,  Rosalinda M. Ring ,  Daniel L. Stone

发明人： Jeffrey D. Birdsley ,  Michael R. Bruce ,  Brennan V. Davis ,  Rosalinda M. Ring ,  Daniel L. Stone

IPC分类号： H01L2166

CPC分类号： G01R31/316 ,  G01R31/311 ,  Y10S438/967 ,  Y10S438/977

摘要： A system and method provides for effective analysis of an integrated circuit having silicon on insulator (SOI) structure. According to one example embodiment of the present invention, the system includes a system (e.g., a nanomachining arrangement) adapted to remove a selected portion of the backside of a semiconductor device having SOI structure, and to electrically isolate a selected portion of circuitry on the SOI semiconductor device circuitry side. The isolated circuitry then is analyzed.

摘要翻译： 一种系统和方法提供了对具有绝缘体上硅（SOI）结构的集成电路的有效分析。 根据本发明的一个示例性实施例，该系统包括适于去除具有SOI结构的半导体器件的背面的选定部分的系统（例如，纳米加工布置），并且将所选择的电路部分电隔离 SOI半导体器件电路侧。 然后分析隔离电路。