公开(公告)号：US20100058861A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：US12208803

申请日：2008-09-11

申请人： Jinbo Kuang ,  William Albert Clark ,  John Albert Geen

发明人： Jinbo Kuang ,  William Albert Clark ,  John Albert Geen

IPC分类号： G01C19/56 ,  G01P15/09

CPC分类号： G01C19/56 ,  G01C19/5677 ,  G01P15/09 ,  Y10T29/42

摘要： Transducers comprising a frame structure made of piezoelectric material convert energy, through piezoelectric effect, between electrostatic energy associated with voltage differential between the electrodes sandwiching the frame structure and mechanical energy associated with deformation of the frame structure. Inertial sensors such as gyroscopes and accelerators, including inertial sensors comprising ring resonators, utilize said transducers both to generate oscillations of their resonators and to sense the changes in such oscillations produced, in the sensors' frame of reference, by Coriolis forces appearing due to the movement of the sensors.

摘要翻译： 包括由压电材料制成的框架结构的传感器通过压电效应在夹持框架结构的电极与与框架结构的变形相关联的机械能相关联的静电能量之间转换能量。 诸如陀螺仪和加速器的惯性传感器，包括包括环形谐振器的惯性传感器，利用所述换能器来产生它们的谐振器的振荡，并且感测在传感器参考系中由于由于所述传感器参考系而出现的科里奥利力产生的这种振荡的变化 传感器的运动。

公开(公告)号：US08389314B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US11538281

申请日：2006-10-03

申请人： John R. Martin ,  Thomas D. Chen ,  Jinbo Kuang ,  Thomas Kieran Nunan ,  Xin Zhang

发明人： John R. Martin ,  Thomas D. Chen ,  Jinbo Kuang ,  Thomas Kieran Nunan ,  Xin Zhang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B81B3/001 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/115

摘要： A method of producing a MEMS device provides a MEMS apparatus having released structure. The MEMS apparatus is formed at least in part from an SOI wafer having a first layer, a second layer spaced from the first layer, and an insulator layer between the first layer and second layer. The first layer has a top surface, while the second layer has a bottom surface facing the top surface. After providing the MEMS apparatus, the method increases the roughness of at least the top surface of the first layer or the bottom surface of the second layer.

摘要翻译： 制造MEMS器件的方法提供了具有释放结构的MEMS装置。 MEMS器件至少部分地由具有第一层，与第一层隔开的第二层和在第一层和第二层之间的绝缘体层的SOI晶片形成。 第一层具有顶表面，而第二层具有面向顶表面的底表面。 在提供MEMS装置之后，该方法增加了至少第一层的顶表面或第二层的底表面的粗糙度。

公开(公告)号：US20080081391A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11538281

申请日：2006-10-03

申请人： John R. Martin ,  Thomas D. Chen ,  Jinbo Kuang ,  Thomas Kieran Nunan ,  Xin Zhang

发明人： John R. Martin ,  Thomas D. Chen ,  Jinbo Kuang ,  Thomas Kieran Nunan ,  Xin Zhang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B81B3/001 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/115

摘要： A method of producing a MEMS device provides a MEMS apparatus having released structure. The MEMS apparatus is formed at least in part from an SOI wafer having a first layer, a second layer spaced from the first layer, and an insulator layer between the first layer and second layer. The first layer has a top surface, while the second layer has a bottom surface facing the top surface. After providing the MEMS apparatus, the method increases the roughness of at least the top surface of the first layer or the bottom surface of the second layer.

摘要翻译： 制造MEMS器件的方法提供了具有释放结构的MEMS装置。 MEMS器件至少部分地由具有第一层，与第一层隔开的第二层和在第一层和第二层之间的绝缘体层的SOI晶片形成。 第一层具有顶表面，而第二层具有面向顶表面的底表面。 在提供MEMS装置之后，该方法增加了至少第一层的顶表面或第二层的底表面的粗糙度。