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    MAGNETIC SENSING DEVICE INCLUDING A SENSE ENHANCING LAYER
    11.
    发明申请
    MAGNETIC SENSING DEVICE INCLUDING A SENSE ENHANCING LAYER 有权
    包括感应增强层的磁感测装置

    公开(公告)号：US20100255349A1

    公开(公告)日：2010-10-07

    申请号：US12816967

    申请日：2010-06-16

    申请人： Zheng Gao ,  Brian W. Karr ,  Song Xue ,  Eric L. Granstrom ,  Khuong T. Tran ,  Yi X. Li

    发明人： Zheng Gao ,  Brian W. Karr ,  Song Xue ,  Eric L. Granstrom ,  Khuong T. Tran ,  Yi X. Li

    IPC分类号： G11B5/39

    CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1121

    摘要： A magnetic sensor includes a sensor stack having a first magnetic portion, a second magnetic portion, and a barrier layer between the first magnetic portion and the second magnetic portion. At least one of the first magnetic portion and the second magnetic portion includes a multilayer structure having a first magnetic layer having a positive magnetostriction adjacent to the barrier layer, a second magnetic layer, and an intermediate layer between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The magnetic sensor has an MR ratio of at least about 80% when the magnetic sensor has a resistance-area (RA) product of about 1.0 Ω·μm2.

    摘要翻译： 磁传感器包括具有在第一磁性部分和第二磁性部分之间的第一磁性部分，第二磁性部分和阻挡层的传感器堆叠。 第一磁性部分和第二磁性部分中的至少一个包括多层结构，其具有与阻挡层相邻的具有正的磁致伸缩的第一磁性层，第二磁性层以及第一磁性层和第二磁性层之间的中间层 层。 当磁传感器的电阻面积（RA）积为约1.0＆OHgr·μm2时，磁传感器具有至少约80％的MR比。

    Oxidation of material for tunnel magneto-resistive sensors
    13.
    发明授权
    Oxidation of material for tunnel magneto-resistive sensors 有权
    隧道磁阻传感器的材料氧化

    公开(公告)号：US06923860B1

    公开(公告)日：2005-08-02

    申请号：US10400903

    申请日：2003-03-27

    申请人： Brian W. Karr ,  Mark T. Kief ,  Janusz J. Nowak

    发明人： Brian W. Karr ,  Mark T. Kief ,  Janusz J. Nowak

    IPC分类号： C30B25/12 ,  G11B5/31 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01F41/30 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/307 ,  Y10T428/24355

    摘要： The present invention is a tunneling magnetoresistive (TMR) stack configured to operate in a current-perpendicular-to-plane (CPP) mode, wherein a sense current flows substantially perpendicular to a longitudinal plane of the barrier layer. The TMR stack has a plurality of layers including a barrier layer. The barrier layer may made of titanium and may be oxidized with an aggressive oxidation method, such as with UV illumination, for a predetermined time period. The barrier layer may be formed on a first ferromagnetic layer before oxidation, and then a second ferromagnetic layer may be formed on the oxidized barrier layer. The TMR stack exhibits an increased magnetoresistive (MR) ratio, a lower RA product, a higher breakdown voltage of the TMR stack, and greater thermal stability.

    摘要翻译： 本发明是被配置为在电流垂直于平面（CPP）模式中工作的隧道磁阻（TMR）堆叠，其中感测电流基本垂直于阻挡层的纵向平面流动。 TMR堆叠具有包括阻挡层的多个层。 阻挡层可以由钛制成并且可以用侵蚀性氧化方法氧化，例如用UV照射预定的时间段。 阻挡层可以在氧化之前的第一铁磁层上形成，然后可以在氧化的阻挡层上形成第二铁磁层。 TMR堆叠表现出增加的磁阻（MR）比，较低的RA乘积，TMR叠层的更高的击穿电压和更大的热稳定性。

    Mask design and method for controlled profile fabrication
    14.
    发明授权
    Mask design and method for controlled profile fabrication 有权
    面罩设计和控制型材加工方法

    公开(公告)号：US06534425B1

    公开(公告)日：2003-03-18

    申请号：US09665093

    申请日：2000-09-20

    申请人： Brian W. Karr ,  Lance E. Stover ,  Jianxin Zhu

    发明人： Brian W. Karr ,  Lance E. Stover ,  Jianxin Zhu

    IPC分类号： G03F900

    CPC分类号： G03F1/50 ,  Y10S438/949

    摘要： A photolithography reticle for use in conjunction with an exposure tool to produce a tapered sidewall profile in photoresist includes a solid portion and multiple sub-resolution line portions. The solid portion has a width which is greater than a resolution of the exposure tool. The sub-resolution line portions have widths which are less than the resolution of the exposure tool. Each of the sub-resolution line portions is spaced apart from the solid portion and from the others of the plurality of sub-resolution line portions by less than the resolution of the exposure tool.

    摘要翻译： 用于与曝光工具结合使用以在光致抗蚀剂中产生锥形侧壁轮廓的光刻掩模版包括实心部分和多个次分辨线部分。 实心部分的宽度大于曝光工具的分辨率。 子分辨线部分的宽度小于曝光工具的分辨率。 每个子分辨率线部分与固体部分和多个子分辨线部分中的其它子部分之间的距离小于曝光工具的分辨率。