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    Oxidation of material for tunnel magneto-resistive sensors
    1.
    发明授权
    Oxidation of material for tunnel magneto-resistive sensors 有权
    隧道磁阻传感器的材料氧化

    公开(公告)号：US06923860B1

    公开(公告)日：2005-08-02

    申请号：US10400903

    申请日：2003-03-27

    申请人： Brian W. Karr ,  Mark T. Kief ,  Janusz J. Nowak

    发明人： Brian W. Karr ,  Mark T. Kief ,  Janusz J. Nowak

    IPC分类号： C30B25/12 ,  G11B5/31 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01F41/30 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/307 ,  Y10T428/24355

    摘要： The present invention is a tunneling magnetoresistive (TMR) stack configured to operate in a current-perpendicular-to-plane (CPP) mode, wherein a sense current flows substantially perpendicular to a longitudinal plane of the barrier layer. The TMR stack has a plurality of layers including a barrier layer. The barrier layer may made of titanium and may be oxidized with an aggressive oxidation method, such as with UV illumination, for a predetermined time period. The barrier layer may be formed on a first ferromagnetic layer before oxidation, and then a second ferromagnetic layer may be formed on the oxidized barrier layer. The TMR stack exhibits an increased magnetoresistive (MR) ratio, a lower RA product, a higher breakdown voltage of the TMR stack, and greater thermal stability.

    摘要翻译： 本发明是被配置为在电流垂直于平面（CPP）模式中工作的隧道磁阻（TMR）堆叠，其中感测电流基本垂直于阻挡层的纵向平面流动。 TMR堆叠具有包括阻挡层的多个层。 阻挡层可以由钛制成并且可以用侵蚀性氧化方法氧化，例如用UV照射预定的时间段。 阻挡层可以在氧化之前的第一铁磁层上形成，然后可以在氧化的阻挡层上形成第二铁磁层。 TMR堆叠表现出增加的磁阻（MR）比，较低的RA乘积，TMR叠层的更高的击穿电压和更大的热稳定性。

    MAGNETIC WRITE DEVICE WITH A CLADDED WRITE ASSIST ELEMENT
    5.
    发明申请
    MAGNETIC WRITE DEVICE WITH A CLADDED WRITE ASSIST ELEMENT 有权
    磁带写入装置，带有封装的写入元件

    公开(公告)号：US20110063756A1

    公开(公告)日：2011-03-17

    申请号：US12950642

    申请日：2010-11-19

    申请人： Eric S. Linville ,  Mark T. Kief

    发明人： Eric S. Linville ,  Mark T. Kief

    IPC分类号： G11B5/127

    CPC分类号： G11B5/3123

    摘要： A magnetic device includes a write element having a write element tip and a conductor adjacent an edge of the write element tip for carrying current to generate an assist field that augments a write field generated by the write element. A cladding material is disposed on at least one surface of the conductor.

    摘要翻译： 磁性装置包括具有写入元件尖端的写元件和与写入元件尖端的边缘相邻的导体，用于承载电流以产生增强写入元件产生的写入场的辅助场。 包层材料设置在导体的至少一个表面上。

    MAGNETIC MAIN WRITE POLE
    6.
    发明申请
    MAGNETIC MAIN WRITE POLE 有权
    磁性主写字

    公开(公告)号：US20100328817A1

    公开(公告)日：2010-12-30

    申请号：US12491898

    申请日：2009-06-25

    申请人： Mark T. Kief ,  Kaizhong Gao ,  Venkateswara Rao Inturi

    发明人： Mark T. Kief ,  Kaizhong Gao ,  Venkateswara Rao Inturi

    IPC分类号： G11B5/127 ,  C25D5/34

    CPC分类号： G11B5/3116 ,  C23C14/14 ,  C23C14/225 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D5/14 ,  C25D7/001 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3163

    摘要： A magnetic writer includes a write pole configured such that the easy magnetic axis is parallel to the vertical length direction of the write pole tip and to the ABS of the recording media. The write pole tip can be a multilayer structure comprising alternating magnetic and nonmagnetic layers with a planar orientation substantially perpendicular to the ABS and with magnetic anisotropy parallel to the vertical length direction of the write pole tip. The alternating magnetic and nonmagnetic layers may be formed by electroplating on a conformal seedlayer in a trench, or by static off axis physical vapor deposition.

    摘要翻译： 磁性写入器包括写极，其被构造为使得易磁轴与记录介质的写极端和ABS的垂直长度方向平行。 写极端可以是包括交替磁性和非磁性层的多层结构，其平面取向基本上垂直于ABS并且具有平行于写入极尖的垂直长度方向的磁各向异性。 交替的磁性和非磁性层可以通过电镀在沟槽中的保形晶种层上，或通过静态离轴物理气相沉积形成。

    Patterned Magnetic Recording Media By Selective Anodic Removal Of An Element
    9.
    发明申请
    Patterned Magnetic Recording Media By Selective Anodic Removal Of An Element 有权
    图案磁记录介质通过选择性阳极去除元素

    公开(公告)号：US20100273026A1

    公开(公告)日：2010-10-28

    申请号：US12431705

    申请日：2009-04-28

    申请人： Steven C. Riemer ,  Ibro Tabakovic ,  Jie Gong ,  Hieu T. Lam ,  Mark T. Kief ,  Mark H. Ostrowski ,  Jiaoming Qiu

    发明人： Steven C. Riemer ,  Ibro Tabakovic ,  Jie Gong ,  Hieu T. Lam ,  Mark T. Kief ,  Mark H. Ostrowski ,  Jiaoming Qiu

    IPC分类号： G11B5/33 ,  C25F3/02

    CPC分类号： C25F3/02 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B5/82 ,  G11B5/855

    摘要： A patterned magnetic recording media and method thereof is provided. A recording layer comprises a continuous surface of more-noble elements and less-noble elements, such as CoXYZ, wherein X can be Pt, Pd, Ru, Rh, Ir, Os, or Au, wherein Y can be null or Cr, and wherein Z can be null, Cu, Ta, Ti, O, B, Ag, or TiO2. The recording layer is masked, shielding areas for recording domains and exposing areas between the recording domains. A voltage bias establishes the substrate as an anode in the presence of Pt cathode, in an electrolyte bath. Ions of the less-noble element are anodically removed predominantly from the exposed areas of the recording layer for a controlled time. The controlled time minimizes oxidation of the nobler element and reduces undercutting of the recording domains. The article produced can have separating areas with surfaces substantially formed of the more-noble element.

    摘要翻译： 提供了一种图案化的磁记录介质及其方法。 记录层包括更贵族元素和较低贵族元素如CoXYZ的连续表面，其中X可以是Pt，Pd，Ru，Rh，Ir，Os或Au，其中Y可以是无效或Cr，以及 其中Z可以为零，Cu，Ta，Ti，O，B，Ag或TiO2。 屏蔽记录层，用于记录域的屏蔽区域和在记录域之间的曝光区域。 在Pt阴极的存在下，在电解质浴中，电压偏压建立了作为阳极的衬底。 较低贵族元素的离子主要从记录层的曝光区域阳极移除一段时间。 受控时间最小化了贵族元素的氧化并减少了记录域的底切。 所制造的制品可以具有基本上由更贵族元素形成的表面的分离区域。