公开(公告)号：US20160163866A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：US14937598

申请日：2015-11-10

Applicant: LG Display Co., Ltd.

Inventor： Min-Cheol KIM ,  Youn-Gyoung CHANG ,  Kwon-Shik PARK ,  So-Hyung LEE ,  Ho-Young JUNG ,  Ha-Jin YOO ,  Jeong-Suk YANG

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/477 ,  H01L29/10 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/477 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66969

Abstract: An oxide semiconductor crystallization method may include depositing an In—Ga—Zn oxide over the substrate while heating a substrate to a temperature of 200 to 300° C., and heat-treating the deposited In—Ga—Zn oxide at a temperature of 200 to 350° C., thereby forming an oxide semiconductor layer crystallized throughout an entire thickness thereof.

Abstract translation: 氧化物半导体结晶方法可以包括在衬底上沉积In-Ga-Zn氧化物，同时将衬底加热至200至300℃的温度，并在200℃的温度下对沉积的In-Ga-Zn氧化物进行热处理 至350℃，从而形成在其整个厚度上结晶的氧化物半导体层。