-
公开(公告)号：US20060160029A1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：US11367810
申请日：2006-03-01
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： H01L21/32139 , G03F1/26 , G03F1/36 , G03F7/0035
摘要： For lithographically manufacturing a device with a very high density, a design mask pattern (120) is distributed on a number of sub-patterns (120a, 120b, 120c) by means of a new method. The sub-patterns do not comprise “forbidden” structures (135) and can be transferred by conventional apparatus to a substrate layer to be patterned. For the transfer, a new stack of layers is used, which comprise a pair of a processing layer (22; 26) and an inorganic anti-reflection layer (24; 28) for each sub-pattern. After a first processing layer (26) has been patterned with a first sub-pattern, it is coated with a new resist layer (30) which is exposed with a second sub-pattern, and a second processing layer (22) under the first processing layer is processed with the second sub-pattern.
摘要翻译： 为了光刻制造具有非常高密度的器件，通过新的方法将设计掩模图案（120）分布在多个子图案（120a，120b，120c）上。 子图案不包括“禁止”结构（135）并且可以通过常规设备传送到待图案化的基底层。 为了传送，使用新的层叠层，其包括用于每个子图案的一对处理层（22; 26）和无机抗反射层（24; 28）。 在第一处理层（26）已经被图案化为第一子图案之后，其被涂覆有用第二子图案曝光的新抗蚀剂层（30）和在第一子图案下方的第二处理层（22） 用第二子图案处理处理层。
-
公开(公告)号：US06887796B2
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：US10475874
申请日：2002-04-18
IPC分类号： C23F1/24 , C09K13/04 , C09K13/08 , G03F7/09 , H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/461
CPC分类号： C09K13/08 , H01L21/0276 , H01L21/31111 , H01L21/67075 , H01L21/67086
摘要： The invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device comprising the step of removing a silicon and nitrogen containing material by means of wet etching with an aqueous solution comprising hydrofluoric acid in a low concentration, the aqueous solution being applied under elevated pressure to reach a temperature above 100° C.
摘要翻译： 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括通过用包含低浓度的氢氟酸的水溶液湿法蚀刻除去含硅和氮的材料的步骤，该水溶液在升高的压力下被施加到 温度高于100℃
-
搜索结果
12 条记录 (耗时 0.016 秒)
