公开(公告)号：US08802537B1

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US11189874

申请日：2005-07-27

申请人： Yider Wu ,  Unsoon Kim ,  Kuo-Tung Chang ,  Harpreet Sachar

发明人： Yider Wu ,  Unsoon Kim ,  Kuo-Tung Chang ,  Harpreet Sachar

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/02057

摘要： A method for forming a memory device is provided. A nitride layer is formed over a substrate. The nitride layer and the substrate are etched to form a trench. The memory device is pre-cleaned to prepare a surface of the memory device for oxide formation thereon, where cleaning the memory device removes portions of the barrier oxide layer on opposite sides of the trench. The nitride layer is trimmed on opposite sides of the trench. A liner oxide layer is formed in the trench.

摘要翻译： 提供了一种用于形成存储器件的方法。 在衬底上形成氮化物层。 蚀刻氮化物层和衬底以形成沟槽。 存储器件被预先清洁以准备用于其上形成氧化物的存储器件的表面，其中清洁存储器件去除沟槽相对侧上的阻挡氧化物层的部分。 在沟槽的相对侧上修整氮化物层。 在沟槽中形成衬里氧化物层。

公开(公告)号：US07863128B1

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US11049855

申请日：2005-02-04

申请人： Joong Jeon ,  Takashi Whitney Orimoto ,  Robert B. Ogle ,  Harpreet Sachar ,  Wei Zheng

发明人： Joong Jeon ,  Takashi Whitney Orimoto ,  Robert B. Ogle ,  Harpreet Sachar ,  Wei Zheng

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/792 ,  G11C16/0475 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11568

摘要： A memory device may include a substrate, a first dielectric layer formed over the substrate and a charge storage element formed over the first dielectric layer. The memory device may also include a second dielectric layer formed over the charge storage element and a third dielectric layer formed over the second dielectric layer. The third dielectric layer may have a high dielectric constant and may be deposited at a relatively high temperature. A control gate may be formed over the third dielectric layer.

摘要翻译： 存储器件可以包括衬底，形成在衬底上的第一电介质层和形成在第一介电层上的电荷存储元件。 存储器件还可以包括形成在电荷存储元件上的第二电介质层和形成在第二介电层上的第三电介质层。 第三电介质层可以具有高介电常数并且可以在较高的温度下沉积。 控制栅极可以形成在第三介电层上。

公开(公告)号：US20060223278A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11099339

申请日：2005-04-04

申请人： Unsoon Kim ,  Hiroyuki Kinoshita ,  Yu Sun ,  Krishnashree Achuthan ,  Christopher Raeder ,  Christopher Foster ,  Harpreet Sachar ,  Kashmir Sahota

发明人： Unsoon Kim ,  Hiroyuki Kinoshita ,  Yu Sun ,  Krishnashree Achuthan ,  Christopher Raeder ,  Christopher Foster ,  Harpreet Sachar ,  Kashmir Sahota

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11543 ,  H01L27/11568

摘要： A method is disclosed for the definition of the poly-1 layer in a semiconductor wafer. A non-critical mask is used to recess field oxides in the periphery prior to poly-1 deposition by an amount equal to the final poly-1 thickness. A complimentary non-critical mask is used to permit CMP of the core to expose the tops of core oxide mesas from the shallow isolation trenches.

摘要翻译： 公开了一种用于在半导体晶片中定义多晶硅层的方法。 使用非临界掩模在聚-1沉积之前将外围的场氧化物凹入等于最终聚-1厚度的量。 使用互补的非关键掩模来允许芯的CMP将浅层隔离沟的核心氧化物台面的顶部暴露出来。