公开(公告)号：US20050020044A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：US10683612

申请日：2003-10-10

申请人： Tzu-En Ho ,  Chih-Hao Chang ,  Chang-Rong Wu ,  Kuo-Hui Su

发明人： Tzu-En Ho ,  Chih-Hao Chang ,  Chang-Rong Wu ,  Kuo-Hui Su

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/4763 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L29/4933

摘要： A method for fabricating a semiconductor a semiconductor device having a stacked-gate structure. A polysilicon layer is formed overlying a substrate, which is insulated from the substrate by a dielectric layer. A metal-flash layer is formed overlying the polysilicon layer, and then a tungsten nitride layer is formed overlying the titanium layer. The tungsten nitride layer is annealed using nitrogen and hydrogen gases. A tungsten layer and a cap layer are successively formed overlying the tungsten nitride layer.

摘要翻译： 一种半导体制造方法，该半导体器件具有堆叠栅极结构。 通过介电层与衬底绝缘的衬底上形成多晶硅层。 在多晶硅层上形成金属闪光层，然后在钛层上形成氮化钨层。 使用氮气和氢气对氮化钨层进行退火。 依次形成覆盖氮化钨层的钨层和覆盖层。