公开(公告)号：US20160093573A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：US14498217

申请日：2014-09-26

Applicant: United Microelectronics Corp.

Inventor： En-Chiuan Liou ,  Teng-Chin Kuo ,  Yi-Ting Chen

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01L23/532 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L23/53271 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An overlay mark applied to a LELE-type double patterning lithography (DPL) process including a first lithography step, a first etching step, a second lithography step and a second etching step in sequence is described. The overlay mark includes a first x-directional pattern and a first y-directional pattern of a previous layer, second x-directional and y-directional patterns of a current layer defined by the first lithography step, and third x-directional and y-directional patterns of the current layer defined by the second lithography step. The second x-directional patterns and the third x-directional patterns are arranged alternately beside the first x-directional pattern. The second y-directional patterns and the third y-directional patterns are arranged alternately beside the first y-directional pattern.

Abstract translation: 描述了应用于包括第一光刻步骤，第一蚀刻步骤，第二光刻步骤和第二蚀刻步骤的LELE型双重图案化光刻（DPL）工艺的覆盖标记。 覆盖标记包括由第一光刻步骤限定的当前层的先前层，第二x方向和y方向图案的第一x方向图案和第一y方向图案，以及第三x方向和y方向图案， 由第二光刻步骤限定的当前层的方向图案。 第二x方向图案和第三x方向图案交替排列在第一x方向图案旁边。 第二y方向图案和第三y方向图案交替排列在第一y方向图案旁边。