公开(公告)号：US09324842B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：US14135716

申请日：2013-12-20

Applicant: GLOBALFOUNDRIES Inc.

Inventor： Hui Zang ,  Chun-chen Yeh ,  Tenko Yamashita ,  Veeraraghavan Basker

IPC: H01L31/072 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/306 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/785

Abstract: A method for fabricating a finfet with a buried local interconnect and the resulting device are disclosed. Embodiments include forming a silicon fin on a BOX layer, forming a gate electrode perpendicular to the silicon fin over a portion of the silicon fin, forming a spacer on each of opposite sides of the gate electrode, forming source/drain regions on the silicon fin at opposite sides of the gate electrode, recessing the BOX layer, undercutting the silicon fin and source/drain regions, at opposite sides of the gate electrode, and forming a local interconnect on a recessed portion of the BOX layer.

Abstract translation: 公开了一种用于制造具有埋入局部互连的鳍片的方法，以及所得到的器件。 实施例包括在BOX层上形成硅翅片，在硅鳍片的一部分上形成垂直于硅鳍片的栅电极，在栅电极的每个相对侧上形成间隔物，在硅片上形成源极/漏极区域 在栅电极的相对侧，使BOX层凹陷，在栅电极的相对侧处切割硅鳍和源极/漏极区，并在BOX层的凹陷部分上形成局部互连。