公开(公告)号：US06713793B1

公开(公告)日：2004-03-30

申请号：US09613749

申请日：2000-07-11

申请人： Satoshi Suzuki ,  Tetsuo Kunii

发明人： Satoshi Suzuki ,  Tetsuo Kunii

IPC分类号： H01L2980

CPC分类号： H01L29/0692 ,  H01L23/4824 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/812 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An inexpensive and small-sized semiconductor device with high power output performance includes a semiconductor substrate; an active region on the semiconductor substrate; first and second channel regions on the active region so that width directions of the first and second channel regions are substantially perpendicular to each other, bent gate electrodes on the first and second channel regions; and source electrodes and drain electrodes on opposite sides of the bent gate electrodes.

摘要翻译： 具有高功率输出性能的便宜且小尺寸的半导体器件包括半导体衬底; 半导体衬底上的有源区; 在有源区域上的第一和第二沟道区域，使得第一和第二沟道区域的宽度方向基本上彼此垂直，第一和第二沟道区上的弯曲的栅电极; 以及在弯曲栅电极的相对侧上的源电极和漏电极。

公开(公告)号：US06603190B2

公开(公告)日：2003-08-05

申请号：US09986325

申请日：2001-11-08

申请人： Katsuya Kosaki ,  Hirofumi Nakano ,  Tetsuo Kunii

发明人： Katsuya Kosaki ,  Hirofumi Nakano ,  Tetsuo Kunii

IPC分类号： H01L2906

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/288 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device having a plated heat sink (PHS) layer on the back surface, preventing a short circuit between a bonding wire, and a first metal layer. A method of making a semiconductor device including forming a catalyst layer on a bottom of a first separation groove in the front surface of a semiconductor substrate, and forming the first metal layer selectively in the first separation groove by electroless plating, using the catalyst layer as a catalyst.

摘要翻译： 一种在背面具有电镀散热片（PHS）层的半导体器件，防止了接合线与第一金属层之间的短路。 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底的前表面的第一分离槽的底部形成催化剂层，并且通过无电镀选择性地在第一分离槽中形成第一金属层，使用催化剂层作为 催化剂