公开(公告)号：US07420841B2

公开(公告)日：2008-09-02

申请号：US11468465

申请日：2006-08-30

申请人： Bernhard Ruf ,  Michael Angerbauer

发明人： Bernhard Ruf ,  Michael Angerbauer

IPC分类号： G11C29/52

CPC分类号： G11C11/16 ,  G06F11/1072 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5614 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C2029/0411 ,  G11C2211/5641

摘要： A memory device and a method of operating a memory device is disclosed. In one embodiment of the invention, the memory device includes a plurality of multi-level memory cells each having a number m of levels not matching 2n with n being a non-zero integer, and a circuit or device for combining the levels of at least two of the memory cells for write and read operations into a set of combined states and for transforming at least a subset of 2n combinations of the set of combined states into n two-level data bits.

摘要翻译： 公开了一种存储器件和操作存储器件的方法。 在本发明的一个实施例中，存储器件包括多个多电平存储器单元，每个多电平存储器单元具有m个不匹配2n的电平，其中n是非零整数，以及电路或 用于将用于写入和读取操作的至少两个用于存储器单元的电平的电平组合成一组组合状态的装置，以及用于将组合状态集合的至少两个组合的子集的至少一个子集转换为n 两级数据位。