公开(公告)号：US20090169789A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12318341

申请日：2008-12-24

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Keita Fushimi ,  Jiro Yamanaka ,  Masayuki Miyashita ,  Tomoharu Nishioka

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Keita Fushimi ,  Jiro Yamanaka ,  Masayuki Miyashita ,  Tomoharu Nishioka

IPC分类号： B32B1/08

CPC分类号： B32B27/28 ,  B32B1/08 ,  B32B27/34 ,  Y10T428/1393

摘要： A resin pipe has an inner layer made of a fluororesin, an intermediate layer of nylon, and an outermost layer made of a fluororesin and covering the intermediate layer.

摘要翻译： 树脂管具有由氟树脂制成的内层，尼龙的中间层和由氟树脂制成的最外层并覆盖中间层。

公开(公告)号：US20090075486A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12237981

申请日：2008-09-25

申请人： Hirohisa Kikuyama ,  Tatsuhiro Yabune ,  Masayuki Miyashita ,  Tadahiro Ohmi

发明人： Hirohisa Kikuyama ,  Tatsuhiro Yabune ,  Masayuki Miyashita ,  Tadahiro Ohmi

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： C03C15/00

摘要： A surface treatment solution for finely processing a glass substrate containing multiple ingredients is used for the construction of liquid crystal-based or organic electroluminescence-based flat panel display devices without invoking crystal precipitation and/or increasing surface roughness. An etching solution of the invention contains, in addition to hydrofluoric acid (HF) and ammonium fluoride (NH4F), at least one acid whose dissociation constant is larger than that of HF. The concentration of the acid in the solution can advantageously be adjusted to maximize the etching rate.

摘要翻译： 用于精细加工含有多种成分的玻璃基板的表面处理溶液用于构建基于液晶或有机电致发光的平板显示装置，而不会引起晶体沉淀和/或增加表面粗糙度。 本发明的蚀刻溶液除氢氟酸（HF）和氟化铵（NH4F）外还含有至少一种离子常数大于HF的酸。 可以有利地调节溶液中酸的浓度以最大化蚀刻速率。

公开(公告)号：US06821452B2

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US10609834

申请日：2003-06-27

申请人： Hirohisa Kikuyama ,  Masayuki Miyashita ,  Tatsuhiro Yabune ,  Tadahiro Ohmi

发明人： Hirohisa Kikuyama ,  Masayuki Miyashita ,  Tatsuhiro Yabune ,  Tadahiro Ohmi

IPC分类号： C03C1500

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/31144

摘要： An etching agent which can etch insulating film with high speeds without damaging the resist pattern, provide realistic throughput when the insulting film etching process in the semiconductor manufacturing process is replaced with the single wafer processing etching treatment method, and prevent roughness on the surface of the semiconductor after etching.

摘要翻译： 可以在不损害抗蚀剂图案的情况下高速蚀刻绝缘膜的蚀刻剂，在半导体制造工艺中的绝缘膜蚀刻工艺被单晶片处理蚀刻处理方法代替时，提供逼真的生产量，并且防止在 半导体蚀刻后。

公开(公告)号：US06585910B1

公开(公告)日：2003-07-01

申请号：US09125440

申请日：1999-03-26

申请人： Hirohisa Kikuyama ,  Masayuki Miyashita ,  Tatsuhiro Yabune ,  Tadahiro Ohmi

发明人： Hirohisa Kikuyama ,  Masayuki Miyashita ,  Tatsuhiro Yabune ,  Tadahiro Ohmi

IPC分类号： C09K1308

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/31144

摘要： An etching treatment agent which can etch insulating film with high speeds without damaging the resist pattern, provide realistic throughput when the insulting film etching process in the semiconductor manufacturing process is replaced with the single wafer processing etching treatment method, and prevent roughness on the surface of the semiconductor after etching.

摘要翻译： 可以在不损害抗蚀剂图案的情况下高速蚀刻绝缘膜的蚀刻处理剂，在半导体制造工艺中的绝缘膜蚀刻工艺被单晶片处理蚀刻处理方法代替时，提供逼真的生产量，并且防止表面上的粗糙度 蚀刻后的半导体。