公开(公告)号：US07794540B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US10539549

申请日：2003-12-16

申请人： Petrus Hubertus Cornelis Magnee ,  Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers ,  Xiaoping Shi

发明人： Petrus Hubertus Cornelis Magnee ,  Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers ,  Xiaoping Shi

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  H01L21/00 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642

摘要： Method of manufacturing a semiconductor device, in which on a region of silicon oxide (5) situated next to a region of monocrystalline silicon (4) at the surface (3) of a semiconductor body (1), a non-monocrystalline auxiliary layer (8) is formed. The auxiliary layer is formed in two steps. In the first step, the silicon body is heated in an atmosphere comprising a gaseous arsenic compound; in the second step it is heated in an atmosphere comprising a gaseous silicon compound instead of said arsenic compound. Thus, the regions of silicon oxide are provided with an amorphous or polycrystalline silicon seed layer in a self-aligned manner.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法，其中在位于半导体本体（1）的表面（3）的单晶硅（4）的旁边的氧化硅（5）的区域上，形成非单晶辅助层（ 8）。 辅助层分两步形成。 在第一步骤中，硅体在包含气态砷化合物的气氛中加热; 在第二步中，在包含气态硅化合物的气氛中代替所述砷化合物进行加热。 因此，氧化硅区域以自对准的方式设置有非晶或多晶硅籽晶层。

公开(公告)号：US07566919B2

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US10581639

申请日：2004-12-09

申请人： Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers ,  Petrus Hubertus Cornelis Magnee ,  Eddy Kunnen ,  Francois Igor Neuilly

发明人： Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers ,  Petrus Hubertus Cornelis Magnee ,  Eddy Kunnen ,  Francois Igor Neuilly

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272

摘要： A method for forming an epitaxial base layer in a bipolar device. The method comprises the steps of: providing a structure having a field isolation oxide region (12) adjacent to an active silicon region (10); forming a silicon nitride/silicon stack (14, 16) above the field isolation oxide region (12), wherein the silicon nitride/silicon stack (14, 16) includes a top layer of silicon (14) and a bottom layer of silicon nitride (16); performing an etch to the silicon nitride/silicon stack (14, 16) to form a stepped seed layer, wherein the top layer of silicon is etched laterally at the same time the bottom layer of silicon nitride is etched; and growing an Si/SiGe/Si stack (20) over the stepped seed layer and active region (10).

摘要翻译： 一种在双极器件中形成外延基底层的方法。 该方法包括以下步骤：提供具有与有源硅区域（10）相邻的场隔离氧化物区域（12）的结构; 在所述场隔离氧化物区域（12）上形成氮化硅/硅堆叠（14,16），其中所述氮化硅/硅堆叠（14,16）包括硅顶层（14）和底层氮化硅 （16）; 对所述氮化硅/硅堆叠（14,16）进行蚀刻以形成阶梯式种子层，其中在蚀刻所述底层氮化硅的同时侧向蚀刻所述硅顶层; 以及在所述阶梯式种子层和有源区域（10）上生长Si / SiGe / Si堆叠（20）。