公开(公告)号：US20130147022A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13706960

申请日：2012-12-06

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Jung-soo YOON ,  Jongwon HONG ,  Insun PARK ,  Jongmyeong LEE ,  Seung-Wook CHOI

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L27/108 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A semiconductor device may include an interlayer insulating layer containing hydrogen and a first passivation layer configured to prevent or inhibit an out-gassing of the hydrogen. In the method, a second passivation layer configured to control a warpage characteristic of a wafer may be formed on the first passivation layer.

Abstract translation: 半导体器件可以包括含有氢的层间绝缘层和被配置为防止或抑制氢的排气的第一钝化层。 在该方法中，可以在第一钝化层上形成用于控制晶片的翘曲特性的第二钝化层。