公开(公告)号：US20140242761A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：US14267954

申请日：2014-05-02

申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.

发明人： King-Yuen WONG ,  Chen-Ju YU ,  Fu-Wei YAO ,  Jiun-Lei Jerry YU ,  Fu-Chih YANG ,  Po-Chih CHEN ,  Chun-Wei HSU

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/0254 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7787

摘要： A method of forming a semiconductor structure, the method includes epitaxially growing a second III-V compound layer on a first III-V compound layer. A carrier channel is located between the first III-V compound layer and the second III-V compound layer. The method further includes forming a source feature and a drain feature on the second III-V compound layer, forming a third III-V compound layer on the second III-V compound layer, depositing a gate dielectric layer on a portion of the second III-V compound layer and a top surface of the third III-V compound layer, treating the gate dielectric layer on the portion of the second III-V compound layer with fluorine and forming a gate electrode on the treated gate dielectric layer between the source feature and the drain feature.

摘要翻译： 一种形成半导体结构的方法，所述方法包括在第一III-V化合物层上外延生长第二III-V化合物层。 载体通道位于第一III-V化合物层和第二III-V化合物层之间。 该方法还包括在第二III-V化合物层上形成源特征和漏极特征，在第二III-V化合物层上形成第三III-V化合物层，在第二III -V化合物层和第三III-V化合物层的顶表面，用氟处理第二III-V化合物层的部分上的栅极电介质层，并在处理的栅极电介质层上在源特征 和排水功能。