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    SELECTABLE PA BIAS TEMPERATURE COMPENSATION CIRCUITRY
    21.
    发明申请
    SELECTABLE PA BIAS TEMPERATURE COMPENSATION CIRCUITRY 有权
    可选PA偏置温度补偿电路

    公开(公告)号：US20120052825A1

    公开(公告)日：2012-03-01

    申请号：US13288318

    申请日：2011-11-03

    申请人： William David Southcombe ,  David E. Jones ,  Hui Liu ,  Chris Levesque ,  Scott Yoder ,  Terry J. Stockert

    发明人： William David Southcombe ,  David E. Jones ,  Hui Liu ,  Chris Levesque ,  Scott Yoder ,  Terry J. Stockert

    IPC分类号： H04B1/04

    CPC分类号： H03F1/30 ,  H03F3/19 ,  H03F3/2175 ,  H03F3/245 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/447 ,  H03F2203/7209

    摘要： Radio frequency (RF) power amplifier (PA) circuitry, which transmits RF signals is disclosed. The RF PA circuitry includes a final stage, a final stage current digital-to-analog converter (IDAC), and a final stage temperature compensation circuit. A final stage current reference circuit may provide an uncompensated final stage reference current to the final stage temperature compensation circuit, which receives and temperature compensates the uncompensated final stage reference current to provide a final stage reference current. The final stage IDAC uses the final stage reference current in a digital-to-analog conversion to provide a final stage bias signal to bias the final stage. The temperature compensation provided by the final stage temperature compensation circuit is selectable.

    摘要翻译： 公开了发射RF信号的射频（RF）功率放大器（PA）电路。 RF PA电路包括最后级，最后一级电流数模转换器（IDAC）和最终级温度补偿电路。 最终级电流参考电路可以向最终级温度补偿电路提供未补偿的最终级参考电流，其接收和温度补偿未补偿的最终级参考电流以提供最终级参考电流。 最终阶段IDAC在数模转换中使用最后阶段参考电流，以提供最终阶段偏置信号来偏向最后阶段。 由最终级温度补偿电路提供的温度补偿是可选择的。

    ESD protection of an RF PA semiconductor die using a PA controller semiconductor die
    24.
    发明授权
    ESD protection of an RF PA semiconductor die using a PA controller semiconductor die 有权
    使用PA控制器半导体管芯的RF PA半导体管芯的ESD保护

    公开(公告)号：US08842399B2

    公开(公告)日：2014-09-23

    申请号：US13288373

    申请日：2011-11-03

    申请人： David E. Jones ,  William David Southcombe ,  Chris Levesque ,  Scott Yoder ,  Terry J. Stockert

    发明人： David E. Jones ,  William David Southcombe ,  Chris Levesque ,  Scott Yoder ,  Terry J. Stockert

    IPC分类号： H02H3/22 ,  H03F1/52 ,  H03F3/24 ,  H03F3/19 ,  H02H9/04

    CPC分类号： H03F1/52 ,  H02H9/046 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245

    摘要： A power amplifier (PA) controller semiconductor die and a first radio frequency (RF) PA semiconductor die are disclosed. The PA controller semiconductor die includes a first electro-static discharge (ESD) protection circuit, which ESD protects and provides a first ESD protected signal. The RF PA semiconductor die receives the first ESD protected signal. In one embodiment of the PA controller semiconductor die, the first ESD protected signal is an envelope power supply signal. The PA controller semiconductor die may be a Silicon complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) semiconductor die and the RF PA semiconductor die may be a Gallium Arsenide semiconductor die.

    摘要翻译： 公开了功率放大器（PA）控制器半导体管芯和第一射频（RF）PA半导体管芯）。 PA控制器半导体管芯包括第一静电放电（ESD）保护电路，其ESD保护并提供第一ESD保护信号。 RF PA半导体管芯接收第一个ESD保护信号。 在PA控制器半导体管芯的一个实施例中，第一ESD保护信号是包络电源信号。 PA控制器半导体管芯可以是硅互补金属氧化物半导体（CMOS）半导体管芯，并且RF PA半导体管芯可以是砷化镓半导体管芯。