公开(公告)号：US20090230428A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US11721069

申请日：2005-12-05

申请人： Doo-Hyeb Youn ,  Hyun-Tak Kim ,  Byung-Gyu Chae ,  Sung-Lyul Maeng ,  Kwang-Yong Kang

发明人： Doo-Hyeb Youn ,  Hyun-Tak Kim ,  Byung-Gyu Chae ,  Sung-Lyul Maeng ,  Kwang-Yong Kang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L49/003 ,  H01L29/452

摘要： The abrupt metal-insulator transition device includes: an abrupt metal insulator transition material layer including an energy gap of less than or equal to 2 eV and holes within a hole level; and two electrodes contacting the abrupt metal-insulator transition material layer. Here, each of the two electrodes is formed by thermally treating a stack layer of a first layer formed on the abrupt metal-insulator transition material layer and comprising Ni or Cr, a second layer formed on the first layer and comprising In, a third layer formed on the second layer and comprising Mo or W, and a fourth layer formed on the third layer and comprising Au.

摘要翻译： 突变金属 - 绝缘体转换装置包括：突然的金属绝缘体过渡材料层，其包括小于或等于2eV的能隙和孔内的孔; 并且两个电极接触突变的金属 - 绝缘体转移材料层。 这里，两个电极中的每一个通过热处理形成在突变金属 - 绝缘体转移材料层上并包含Ni或Cr的第一层的叠层形成，第二层形成在第一层上并包括In的第三层，第三层 形成在第二层上并且包含Mo或W，以及形成在第三层上并包含Au的第四层。