Method for producing SiOx (x < 1)
    35.
    发明申请
    Method for producing SiOx (x < 1) 审中-公开
    制备SiOx(x <1)

    公开(公告)号:US20070254102A1

    公开(公告)日:2007-11-01

    申请号:US11790234

    申请日:2007-04-24

    IPC分类号: C23C14/10

    摘要: A method for producing a SiOx (x

    摘要翻译: 提供了一种制备SiO x(x <1)的方法。 所生产的SiO x x适于用作生产具有大容量的锂离子二次电池的负极材料,该锂离子二次电池在重复使用的循环中不会经历劣化,并且在初始时具有低的不可逆容量 充放电。 制备SiO x(x <1)的方法包括以下步骤:在产生氧化硅气体的原料中加热至1,100至1,600℃范围内的温度, 惰性气体或减压下产生氧化硅气体,同时在惰性气体存在或减压下将金属硅加热至1800至2400℃的温度,以产生硅气体, 并且在衬底的表面上沉淀氧化硅气体和金属硅气体的气体混合物。