公开(公告)号：US20090218618A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12041391

申请日：2008-03-03

申请人： Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Maximilian Roesch ,  Walter Rieger

发明人： Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Maximilian Roesch ,  Walter Rieger

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734

摘要： A semiconductor device and method. One embodiments provides a semiconductor substrate having a trench with a sidewall isolation comprising a first isolating material, a field electrode formed in lower portion of the trench, a cover comprising a second material above the field electrode, the second material being selectively etchable to the first isolating material, a gate dielectric on the sidewall in an upper portion of the trench and a gate electrode in the upper portion of the trench.

摘要翻译： 半导体器件和方法。 一个实施例提供了具有沟槽的半导体衬底，侧壁隔离包括第一隔离材料，形成在沟槽下部的场电极，覆盖在场电极上方的第二材料，第二材料可选择性地蚀刻到第一 隔离材料，在沟槽的上部中的侧壁上的栅极电介质和沟槽上部的栅电极。