公开(公告)号：US08487370B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12847537

申请日：2010-07-30

申请人： Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Martin Poelzl ,  Maximilian Roesch

发明人： Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Martin Poelzl ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor body including a trench with first and second opposing sidewalls. A first electrode is arranged in a lower portion of the trench and a second electrode in an upper portion of the trench. A dielectric structure is arranged in the trench, including a first portion between the electrodes. The first portion includes, in sequence along a lateral direction from the first sidewall to the second sidewall, a first part including a first dielectric material, a second part including a second dielectric material selectively etchable to the first dielectric material, a third part including the first dielectric material, the first dielectric material of the third part being continuously arranged along a vertical direction from a top side of the first electrode to a bottom side of the second electrode, a fourth part including the second dielectric material and a fifth part including the first dielectric material.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体本体，其包括具有第一和第二相对侧壁的沟槽。 第一电极布置在沟槽的下部，沟槽的上部设有第二电极。 电介质结构布置在沟槽中，包括电极之间的第一部分。 第一部分沿着从第一侧壁到第二侧壁的横向方向依次包括第一部分，包括第一介电材料，第二部分包括可选择性地蚀刻到第一电介质材料的第二介电材料，第三部分包括第 第一电介质材料，第三部分的第一介电材料沿着垂直方向从第一电极的顶侧到第二电极的底侧连续地布置，第四部分包括第二电介质材料，第五部分包括第 第一介电材料。

公开(公告)号：US08362551B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US13270253

申请日：2011-10-11

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlein ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlein ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US08114743B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12961996

申请日：2010-12-07

申请人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

发明人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： An integrated circuit device with a semiconductor body and a method for the production of a semiconductor device a provided. The semiconductor body comprises a cell field with a drift zone of a first conduction type. In addition, the semiconductor device comprises an edge region surrounding the cell field. Field plates with a trench gate structure are arranged in the cell field, and an edge trench surrounding the cell field is provided in the edge region. The front side of the semiconductor body is in the edge region provided with an edge zone of a conduction type complementing the first conduction type with doping materials of body zones of the cell field. The edge zone of the complementary conduction type extends both within and outside the edge trench.

摘要翻译： 提供了具有半导体本体的集成电路器件和用于制造半导体器件的方法。 半导体体包括具有第一导电类型的漂移区的电池区。 此外，半导体器件包括围绕电池区的边缘区域。 具有沟槽栅极结构的场板被布置在电池区中，并且在边缘区域中设置围绕电池区的边缘沟槽。 半导体本体的前侧处于边缘区域，该边缘区域具有与单元区域的体区的掺杂材料互补的第一导电类型的导电类型的边缘区域。 互补导电类型的边缘区域在边缘沟槽内部和外部均延伸。

公开(公告)号：US07879686B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US12355343

申请日：2009-01-16

申请人： Oliver Blank

发明人： Oliver Blank

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811

摘要： A semiconductor and method for manufacturing a semiconductor device. In one embodiment the method includes providing a semiconductor substrate with a first substrate surface and at least one trench having at least one trench surface. The trench extends from the first substrate surface into the semiconductor substrate. The trench has a first trench section and a second trench section. The trench surface is exposed in an upper portion of the first and second trench sections and covered with a first insulating layer in a lower portion. A second insulating layer is formed at least on the exposed trench surface in the upper portion. A conductive layer is formed on the second insulating layer at least in the upper portion, wherein the second insulating layer electrically insulates the conductive layer from the semiconductor substrate. The conductive layer is removed in the first trench section without removing the conductive layer in the second trench section.

摘要翻译： 半导体装置及其制造方法。 在一个实施例中，该方法包括提供具有第一衬底表面的半导体衬底和具有至少一个沟槽表面的至少一个沟槽。 沟槽从第一衬底表面延伸到半导体衬底中。 沟槽具有第一沟槽部分和第二沟槽部分。 沟槽表面暴露在第一和第二沟槽部分的上部，并且在下部被第一绝缘层覆盖。 至少在上部的暴露的沟槽表面上形成第二绝缘层。 导电层至少在上部形成在第二绝缘层上，其中第二绝缘层使导电层与半导体衬底电绝缘。 在第一沟槽部分中去除导电层，而不去除第二沟槽部分中的导电层。

公开(公告)号：US20100117144A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12268182

申请日：2008-11-10

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US20130137230A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13307465

申请日：2011-11-30

申请人： Oliver Blank

发明人： Oliver Blank

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8725

摘要： A method of producing a semiconductor device includes providing a semiconductor body having a first surface and a dielectric layer arranged on the first surface and forming at least one first trench in the dielectric layer. The at least one first trench extends to the semiconductor body and defines a dielectric mesa region in the dielectric layer. The method further includes forming a second trench in the dielectric mesa region distant to the at least one first trench, forming a semiconductor layer on uncovered regions of the semiconductor body in the at least one first trench and forming a field electrode in the second trench.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供具有布置在第一表面上的第一表面和电介质层的半导体本体，并在电介质层中形成至少一个第一沟槽。 所述至少一个第一沟槽延伸到所述半导体主体并限定所述电介质层中的电介质台面区域。 该方法还包括在远离至少一个第一沟槽的电介质台面区域中形成第二沟槽，在至少一个第一沟槽中的半导体本体的未覆盖区域上形成半导体层，并在第二沟槽中形成场电极。

公开(公告)号：US20120025303A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13270253

申请日：2011-10-11

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US20110076817A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12961996

申请日：2010-12-07

申请人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

发明人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： An integrated circuit device with a semiconductor body and a method for the production of a semiconductor device a provided. The semiconductor body comprises a cell field with a drift zone of a first conduction type. In addition, the semiconductor device comprises an edge region surrounding the cell field. Field plates with a trench gate structure are arranged in the cell field, and an edge trench surrounding the cell field is provided in the edge region. The front side of the semiconductor body is in the edge region provided with an edge zone of a conduction type complementing the first conduction type with doping materials of body zones of the cell field. The edge zone of the complementary conduction type extends both within and outside the edge trench.

摘要翻译： 提供了具有半导体本体的集成电路器件和用于制造半导体器件的方法。 半导体体包括具有第一导电类型的漂移区的电池区。 此外，半导体器件包括围绕电池区的边缘区域。 具有沟槽栅极结构的场板被布置在电池区中，并且在边缘区域中设置围绕电池区的边缘沟槽。 半导体本体的前侧处于边缘区域，该边缘区域具有与单元区域的体区的掺杂材料互补的第一导电类型的导电类型的边缘区域。 互补导电类型的边缘区域在边缘沟槽内部和外部均延伸。

公开(公告)号：US07880226B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US12020077

申请日：2008-01-25

申请人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

发明人： Uli Hiller ,  Oliver Blank ,  Ralf Siemieniec ,  Maximilian Roesch

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： An integrated circuit device with a semiconductor body and a method for the production of a semiconductor device a provided. The semiconductor body comprises a cell field with a drift zone of a first conduction type. In addition, the semiconductor device comprises an edge region surrounding the cell field. Field plates with a trench gate structure are arranged in the cell field, and an edge trench surrounding the cell field is provided in the edge region. The front side of the semiconductor body is in the edge region provided with an edge zone of a conduction type complementing the first conduction type with doping materials of body zones of the cell field. The edge zone of the complementary conduction type extends both within and outside the edge trench.

摘要翻译： 提供了具有半导体本体的集成电路器件和用于制造半导体器件的方法。 半导体体包括具有第一导电类型的漂移区的电池区。 此外，半导体器件包括围绕电池区的边缘区域。 具有沟槽栅极结构的场板被布置在电池区中，并且在边缘区域中设置围绕电池区的边缘沟槽。 半导体本体的前侧处于边缘区域，该边缘区域具有与单元区域的体区的掺杂材料互补的第一导电类型的导电类型的边缘区域。 互补导电类型的边缘区域在边缘沟槽内部和外部均延伸。

公开(公告)号：US20100078718A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12242195

申请日：2008-09-30

申请人： Oliver Blank ,  Uli Hiller

发明人： Oliver Blank ,  Uli Hiller

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a trench, a buried insulated source electrode arranged in a bottom portion of the trench, a first gate electrode and a second gate electrode arranged in an upper portion of the trench and spaced apart from one another. A surface gate contact extends into the upper portion of the trench and is in physical and electrical contact with the first gate electrode and second gate electrode.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底，沟槽，布置在沟槽的底部中的埋入绝缘源电极，布置在沟槽的上部并彼此间隔开的第一栅电极和第二栅电极。 表面栅极接触延伸到沟槽的上部，并与第一栅电极和第二栅电极物理和电接触。