公开(公告)号：US20050130420A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10731150

申请日：2003-12-10

申请人： Chih Huang ,  Cheng Chen ,  Ling-Wuu Yang

发明人： Chih Huang ,  Cheng Chen ,  Ling-Wuu Yang

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/32138 ,  H01L21/02052 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117

摘要： A semiconductor cleaning method, including providing a semiconductor wafer, forming a first layer of oxide over the semiconductor wafer, forming a floating gate layer over the first layer of oxide, forming a second layer of oxide over the floating gate layer, etching the first layer of oxide, the floating gate layer, and the second layer of oxide to form a gate structure, cleaning the semiconductor wafer including the gate structure using an ozonated de-ionized (DI) water, further cleaning of the ozonated water-cleaned semiconductor wafer using a first cleaning solution, and additional cleaning of the further cleaned semiconductor wafer using a second cleaning solution.

摘要翻译： 一种半导体清洁方法，包括提供半导体晶片，在所述半导体晶片上形成第一氧化物层，在所述第一氧化物层上形成浮栅，在所述浮栅上形成第二氧化层，蚀刻所述第一层 的氧化物，浮栅和第二层氧化物以形成栅极结构，使用臭氧化去离子水（DI）水清洗包括栅极结构的半导体晶片，使用以下方法进一步清洁臭氧水清洗的半导体晶片： 第一清洁溶液，以及使用第二清洁溶液对进一步清洁的半导体晶片的附加清洁。