公开(公告)号：US06184110B2

公开(公告)日：2001-02-06

申请号：US09071234

申请日：1998-04-30

Applicant: Yoshi Ono ,  Yanjun Ma

Inventor： Yoshi Ono ,  Yanjun Ma

IPC: H01L2126

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/511 ,  H01L29/518

Abstract: A method of forming a nitrogen-implanted gate oxide in a semiconductor device includes preparing a silicon substrate; forming an oxide layer on the prepared substrate; and implanting N+ or N2+ ions into the oxide layer in a plasma immersion ion implantation apparatus.

Abstract translation: 在半导体器件中形成氮注入栅极氧化物的方法包括制备硅衬底; 在所制备的基板上形成氧化物层; 以及在等离子体浸没离子注入装置中将N +或N2 +离子注入到氧化物层中。