公开(公告)号：US20120280826A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13552092

申请日：2012-07-18

申请人： Atsushi Tanaka

发明人： Atsushi Tanaka

IPC分类号： G08B21/00

CPC分类号： H04N7/17318 ,  H04N21/4126 ,  H04N21/4143 ,  H04N21/4182 ,  H04N21/4722 ,  H04N21/6582

摘要： A management apparatus for managing a content display change time on a display apparatus and content information to be transmitted to a terminal determines the content information to be transmitted to the terminal on the basis of a reception time of a content information request command transmitted from the terminal and the content display change time on the display apparatus.

摘要翻译： 用于管理显示装置上的内容显示改变时间的管理装置和要发送到终端的内容信息根据从终端发送的内容信息请求命令的接收时间来确定要发送到终端的内容信息 和显示装置上的内容显示改变时间。

公开(公告)号：US08299461B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12797632

申请日：2010-06-10

申请人： Atsushi Tanaka ,  Takeshi Hama ,  Masayuki Suzuki

发明人： Atsushi Tanaka ,  Takeshi Hama ,  Masayuki Suzuki

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor includes: a substrate; and, on the substrate, an oxide semiconductor film which serves as an active layer and contains In, Ga, and Zn, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, and a drain electrode, wherein, when a molar ratio of In, Ga, and Zn in the oxide semiconductor film is expressed as In:Ga:Zn=(2.0−x):x:y, wherein 0.0

摘要翻译： 薄膜晶体管包括：基板; 并且在基板上具有用作有源层并且包含In，Ga和Zn的氧化物半导体膜，栅电极，栅绝缘膜，源电极和漏电极，其中，当摩尔比 In，Ga和Zn表示为In：Ga：Zn =（2.0-x）：x：y，其中0.0

公开(公告)号：US07983605B2

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US11845489

申请日：2007-08-27

申请人： Minoru Nakamura ,  Ryota Kashiwabara ,  Atsushi Tanaka

发明人： Minoru Nakamura ,  Ryota Kashiwabara ,  Atsushi Tanaka

IPC分类号： G03G15/08

CPC分类号： G03G15/0818 ,  G03G2215/0634 ,  G03G2215/0861

摘要： A developing member is disclosed which can lessen the occurring of banding. The developing member has a shaft member, an elastic layer provided on the shaft member, and a resin layer provided on the surface, wherein the resin layer contains a urethane resin and a non-reactive silicone compound, and the non-reactive silicone compound has a polyether moiety whose total number of carbon atoms ranges from 3 to 9.

摘要翻译： 公开了一种可以减少条纹发生的显影部件。 显影部件具有轴构件，设置在轴构件上的弹性层和设置在表面上的树脂层，其中树脂层包含聚氨酯树脂和非反应性硅氧烷化合物，并且非反应性硅氧烷化合物具有 总碳原子数为3〜9的聚醚部分。

公开(公告)号：US20110060162A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12991197

申请日：2009-05-28

申请人： Kiyoshi Tatsuhara ,  Tomoaki Sugiyama ,  Atsushi Tanaka ,  Toshihiko Setoguchi

发明人： Kiyoshi Tatsuhara ,  Tomoaki Sugiyama ,  Atsushi Tanaka ,  Toshihiko Setoguchi

IPC分类号： C07C51/00 ,  B01J8/18 ,  B01J8/00 ,  C07C45/00 ,  C07C41/01 ,  C07C29/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B01J8/005 ,  B01J8/1836 ,  B01J2208/00592 ,  B01J2208/00681 ,  B01J2219/00006 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162

摘要： Included are a nano-carbon material production unit for producing a nano-carbon material using a fluidized catalyst formed by granulating a carrier supporting an active component, an acid treatment unit for dissolving and separating a catalyst by an acid solution by feeding a catalyst-containing nano-carbon material into the acid solution, and a pH adjustment unit, which is an anti-agglomeration treatment unit, provided on a downstream side of the acid treatment unit, for performing an anti-agglomeration treatment to prevent agglomeration among nano-carbons due to repulsion caused by dissociation among oxygen-containing functional groups added to the nano-carbon material.

摘要翻译： 包括使用流化催化剂制造纳米碳材料的纳米碳材料生产单元，所述流化催化剂通过使支撑活性组分的载体成粒而形成，酸处理单元，用于通过酸溶液溶解和分离催化剂， 将酸性溶液中的纳米碳材料和作为抗附聚处理单元的pH调节单元设置在酸处理单元的下游侧，进行抗附聚处理以防止纳米碳之间的附聚 由添加到纳米碳材料中的含氧官能团之间的离解引起的排斥。

公开(公告)号：US07804088B2

公开(公告)日：2010-09-28

申请号：US12418991

申请日：2009-04-06

申请人： Atsushi Tanaka ,  Ken-ichi Umeda ,  Kohei Higashi ,  Maki Nangu

发明人： Atsushi Tanaka ,  Ken-ichi Umeda ,  Kohei Higashi ,  Maki Nangu

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225

摘要： A semiconductor device includes a substrate and a semiconductor layer having a channel region, the channel region is made from an oxide semiconductor which satisfies Vc/Va>4 where Vc is a volume ratio of a crystalline component and Va is a volume ratio of a non-crystalline component.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底和具有沟道区的半导体层，沟道区由满足Vc / Va> 4的氧化物半导体制成，其中Vc是结晶成分的体积比，Va是非结晶成分的体积比， 晶体成分。

公开(公告)号：US07763180B2

公开(公告)日：2010-07-27

申请号：US11662054

申请日：2005-09-07

申请人： Atsushi Tanaka ,  Isao Yamada

发明人： Atsushi Tanaka ,  Isao Yamada

IPC分类号： D06M15/53 ,  D06M13/02 ,  D06M13/144 ,  D06M13/165 ,  D06M13/188 ,  D06M15/643

CPC分类号： D06M15/53 ,  D06M7/00 ,  D06M13/02 ,  D06M13/17 ,  D06M13/224 ,  D06M13/419 ,  D06M15/227 ,  D06M2200/20 ,  D06M2200/40

摘要： The present invention provides a wrinkle-removing composition capable of removing wrinkles in fiber products without deteriorating the texture, even if heat treatment such as ironing and steam pressing is not carried out. The present relates to a wrinkle-removing composition containing an alkylene oxide adduct (a) represented by a specific general formula (1) or a general formula (2) or (3), as well as a method of removing wrinkles in fiber products, which includes applying the wrinkle-removing composition onto fiber products.

摘要翻译： 本发明提供了即使不进行熨烫和蒸汽加压等热处理，也能够在不损害织构的情况下除去纤维制品中的皱纹的皱纹去除组合物。 本发明涉及含有由特定通式（1）或通式（2）或（3）表示的烯化氧加合物（a）的除皱组合物，以及除去纤维产品中的皱纹的方法， 其包括将去皱皱纹组合物施加到纤维制品上。

公开(公告)号：US07688547B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11430901

申请日：2006-05-10

申请人： Atsushi Tanaka

发明人： Atsushi Tanaka

IPC分类号： G11B5/41

CPC分类号： G11B5/41 ,  Y10S15/12

摘要： A head cleaning mechanism for a read/write device includes an arm with serially connected arm members that supports a cleaning component. The arm members fold as the arm is wound about a shaft formed on a guide plate which guides a stud attached to the arm as it is wound in a dead space of a corner of the device.

摘要翻译： 用于读/写设备的头清洁机构包括支撑清洁部件的臂，其具有串联连接的臂部件。 当臂围绕形成在引导板上的轴缠绕时，臂构件折叠，当引导件缠绕在装置的拐角的死角处时，该引导件引导附接到臂的螺柱。

公开(公告)号：US20090310683A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12461651

申请日：2009-08-19

申请人： Atsushi Tanaka

发明人： Atsushi Tanaka

IPC分类号： H04N7/26

CPC分类号： H04N19/423 ,  H04N19/102 ,  H04N19/156 ,  H04N19/61

摘要： A video coding device includes an image-dividing number setting unit and a coding unit in the aims of suppressing an occurrence of a load cache miss when decoding a coded data without increasing a capacity of a cache memory even when a resolution of a video is high. The image-dividing number setting unit sets a dividing number of image. The coding unit divides a coding object image constituting the video into partial images with the same number as the dividing number of image, and performs a coding processing using a motion compensation on each of the partial images.

摘要翻译： 视频编码装置包括图像分割数设定部和编码部，其目的是在不增加高速缓冲存储器的容量的同时解码编码数据时抑制加载高速缓存未命中的发生，即使视频的分辨率高 。 图像分割数设定部设定图像的分割数。 编码单元将构成视频的编码对象图像分割为与图像的分割数相同数量的部分图像，并且对每个部分图像执行使用运动补偿的编码处理。

公开(公告)号：US20090310029A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12484730

申请日：2009-06-15

申请人： Atsushi Tanaka

发明人： Atsushi Tanaka

IPC分类号： H04N5/46 ,  G08B21/00

CPC分类号： H04N7/17318 ,  H04N21/4126 ,  H04N21/4143 ,  H04N21/4182 ,  H04N21/4722 ,  H04N21/6582

摘要： A management apparatus for managing a content display change time on a display apparatus and content information to be transmitted to a terminal determines the content information to be transmitted to the terminal on the basis of a reception time of a content information request command transmitted from the terminal and the content display change time on the display apparatus.

摘要翻译： 用于管理显示装置上的内容显示改变时间的管理装置和要发送到终端的内容信息根据从终端发送的内容信息请求命令的接收时间来确定要发送到终端的内容信息 和显示装置上的内容显示改变时间。

公开(公告)号：US20090294765A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12474931

申请日：2009-05-29

申请人： Atsushi Tanaka ,  Kenichi Umeda ,  Kohei Higashi ,  Maki Nangu

发明人： Atsushi Tanaka ,  Kenichi Umeda ,  Kohei Higashi ,  Maki Nangu

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L29/7869

摘要： A gate electrode, a gate insulation film and an inorganic oxide film are formed in this order on a substrate, and a source electrode and a drain electrode are formed to partially cover the inorganic oxide film. Then, oxidation treatment is applied to reduce the carrier density at a region of the inorganic oxide film which is not covered by the electrodes and is used as a channel region of a semiconductor device.

摘要翻译： 在基板上依次形成栅电极，栅极绝缘膜和无机氧化物膜，并且形成源电极和漏电极以部分地覆盖无机氧化物膜。 然后，进行氧化处理以降低未被电极覆盖的无机氧化物膜的区域的载流子密度，并用作半导体器件的沟道区域。