公开(公告)号：US20060160362A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11039043

申请日：2005-01-18

申请人： Yi-Chen Huang ,  Chien Fu ,  Ming-Hong Hsieh ,  Hui Ouyang ,  Yi-Nien Su ,  Hun-Jan Tao

发明人： Yi-Chen Huang ,  Chien Fu ,  Ming-Hong Hsieh ,  Hui Ouyang ,  Yi-Nien Su ,  Hun-Jan Tao

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76865 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862

摘要： Via hole and trench structures and fabrication methods are disclosed. The structure comprises a conductive layer in a dielectric layer, and a via hole in the dielectric layer for exposing a portion of a surface of the conductive layer. A conductive liner covers the exposed surface of the first conductive layer. A trench is formed on the via hole in the dielectric without the conductive liner layer in the trench. Dual damascene structures and fabrications methods are also disclosed. Following the fabrication methods of the via hole and trench structures, a conductive layer is further formed in the via hole and trench structures.

摘要翻译： 公开了通孔和沟槽结构和制造方法。 该结构包括在电介质层中的导电层和用于暴露导电层表面的一部分的电介质层中的通孔。 导电衬套覆盖第一导电层的暴露表面。 在电介质的通孔上形成沟槽，而沟槽中没有导电衬垫层。 还披露了双镶嵌结构和制造方法。 按照通孔和沟槽结构的制造方法，在通孔和沟槽结构中进一步形成导电层。