公开(公告)号：US06797559B2

公开(公告)日：2004-09-28

申请号：US10283844

申请日：2002-10-30

申请人： Chang-won Lee ,  Si-young Choi ,  Seong-jun Heo ,  Sung-man Kim ,  Min-chul Sun ,  Ja-hum Ku ,  Sun-pil Youn

发明人： Chang-won Lee ,  Si-young Choi ,  Seong-jun Heo ,  Sung-man Kim ,  Min-chul Sun ,  Ja-hum Ku ,  Sun-pil Youn

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/28044 ,  H01L29/4941

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device having a metal conducting layer is provided. A metal conducting layer pattern having the metal conducting layer is formed on a semiconductor substrate. A portion of the metal conducting layer is partially exposed on the semiconductor substrate. The semiconductor substrate having the metal conducting layer pattern is loaded into a reaction chamber. A first silicon source gas is flowed into the reaction chamber. A silicon oxide layer is formed on the semiconductor substrate having the metal conducting layer pattern by supplying a second silicon source gas and an oxygen source gas into the reaction chamber.

摘要翻译： 提供一种制造具有金属导电层的半导体器件的方法。 具有金属导电层的金属导电层图案形成在半导体衬底上。 金属导电层的一部分部分露出在半导体衬底上。 具有金属导电层图案的半导体衬底被加载到反应室中。 第一硅源气体流入反应室。 通过向反应室供给第二硅源气体和氧源气体，在具有金属导电层图案的半导体衬底上形成氧化硅层。