公开(公告)号：US5804504A

公开(公告)日：1998-09-08

申请号：US834295

申请日：1997-04-15

申请人： Yang Kyu Choi

发明人： Yang Kyu Choi

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76825 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/945

摘要： A method for forming an upper metal wiring which is in contact with an under conductive layer in a highly integrated semiconductor device. The method includes the steps of forming a metal wiring layer on a lower insulating film, forming a contact hole in the insulating film to expose an under conductive layer, and growing a metal layer in the contact hole to fill up the contact hole, so that the metal wiring layer can be in contact with the lower conductive layer.

摘要翻译： 一种在高度集成的半导体器件中形成与下导电层接触的上金属布线的方法。 该方法包括以下步骤：在下绝缘膜上形成金属布线层，在绝缘膜上形成接触孔以暴露下导电层，并在接触孔中生长金属层以填充接触孔，使得 金属布线层可以与下导电层接触。