公开(公告)号：US20100327289A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12709506

申请日：2010-02-21

申请人： An-Thung Cho ,  Chi-Hua Sheng ,  Ruei-Liang Luo ,  Wan-Yi Liu ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Chi-Hua Sheng ,  Ruei-Liang Luo ,  Wan-Yi Liu ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/101 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/13454 ,  G02F2001/133388 ,  H01L27/3227

摘要： A UV sensor comprises a silicon-rich dielectric layer with a refractive index in a range of about 1.7 to about 2.5 for serving as the light sensing material of the UV sensor. The fabrication method of the UV sensor can be integrated with the fabrication process of semiconductor devices or flat display panels.

摘要翻译： UV传感器包括富含硅的电介质层，其折射率在约1.7至约2.5的范围内，用作UV传感器的感光材料。 UV传感器的制造方法可以与半导体器件或平面显示面板的制造工艺集成。

公开(公告)号：US08586425B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US12964747

申请日：2010-12-10

申请人： An-Thung Cho ,  Wan-Yi Liu ,  Chia-Kai Chen ,  Wu-Hsiung Lin ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Wan-Yi Liu ,  Chia-Kai Chen ,  Wu-Hsiung Lin ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/78651 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor disposed on a substrate is provided. The thin film transistor includes a gate, a gate insulating layer, a silicon-rich channel layer, a source, and a drain. The gate is disposed on the substrate. The gate insulator is disposed over the gate. The silicon-rich channel layer is disposed above the gate, wherein the material of the silicon-rich channel layer is selected from a group consisting of silicon-rich silicon oxide (Si-rich SiOx), silicon-rich silicon nitride (Si-rich SiNx), silicon-rich silicon oxynitride (Si-rich SiOxNy), silicon-rich silicon carbide (Si-rich SiC) and silicon-rich silicon oxycarbide (Si-rich SiOC). The content (concentration) of silicon of the silicon-rich channel layer within a film depth between 10 nm to 170 nm ranges from about 1E23 atoms/cm3 to about 4E23 atoms/cm3. The source and the drain are connected with the silicon-rich channel layer.

摘要翻译： 设置在基板上的薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括栅极，栅极绝缘层，富硅沟道层，源极和漏极。 栅极设置在基板上。 栅极绝缘体设置在栅极上。 富硅沟道层设置在栅极上方，其中富硅沟道层的材料选自富硅氧化硅（富Si），富含硅的氮化硅（富Si） SiN x），富硅氧氮化硅（富Si的SiO x N y），富含硅的碳化硅（富Si的SiC）和富硅的碳氧化碳（富Si的SiOC）。 在10nm至170nm的膜深度内的富硅沟道层的硅含量（浓度）范围为约1E23原子/ cm3至约4E23原子/ cm3。 源极和漏极与富硅沟道层连接。

公开(公告)号：US20130100079A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13476009

申请日：2012-05-20

申请人： Tien-Hao Chang ,  Jiun-Jye Chang ,  An-Thung Cho ,  Chi-Wen Fan ,  Wei-Peng Weng ,  Yu-Min Lee

发明人： Tien-Hao Chang ,  Jiun-Jye Chang ,  An-Thung Cho ,  Chi-Wen Fan ,  Wei-Peng Weng ,  Yu-Min Lee

IPC分类号： G06F3/042

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G06F3/03545 ,  G06F3/042

摘要： A touch display device includes a first substrate, a second substrate, a plurality of sub-pixel regions, a plurality of display devices, a plurality of first optical touch sensor device and second optical touch sensor devices. The first substrate and the second substrate are disposed oppositely. The display devices are disposed in the sub-pixel regions, respectively, to provide images for a first display surface and a second display surface. The first optical touch sensor devices are disposed on the first substrate and at least corresponding to part of the sub-pixel regions for implementing touch input function on the first display surface. The second optical touch sensor devices are disposed on the first substrate and at least corresponding to part of the sub-pixel regions for implementing touch input function on the second display surface.

摘要翻译： 触摸显示装置包括第一基板，第二基板，多个子像素区域，多个显示装置，多个第一光学触摸传感器装置和第二光学触摸传感器装置。 第一基板和第二基板相对设置。 显示装置分别设置在子像素区域中，以提供用于第一显示表面和第二显示表面的图像。 第一光学触摸传感器装置设置在第一基板上，并且至少对应于用于在第一显示表面上实现触摸输入功能的子像素区域的一部分。 第二光学触摸传感器装置设置在第一基板上，并且至少对应于用于在第二显示表面上实现触摸输入功能的子像素区域的一部分。

公开(公告)号：US08344381B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12709506

申请日：2010-02-21

申请人： An-Thung Cho ,  Chi-Hua Sheng ,  Ruei-Liang Luo ,  Wan-Yi Liu ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Chi-Hua Sheng ,  Ruei-Liang Luo ,  Wan-Yi Liu ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/101 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/13454 ,  G02F2001/133388 ,  H01L27/3227

摘要： A UV sensor comprises a silicon-rich dielectric layer with a refractive index in a range of about 1.7 to about 2.5 for serving as the light sensing material of the UV sensor. The fabrication method of the UV sensor can be integrated with the fabrication process of semiconductor devices or flat display panels.

摘要翻译： UV传感器包括富含硅的电介质层，其折射率在约1.7至约2.5的范围内，用作UV传感器的感光材料。 UV传感器的制造方法可以与半导体器件或平面显示面板的制造工艺集成。

公开(公告)号：US20110156043A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12964747

申请日：2010-12-10

申请人： An-Thung Cho ,  Wan-Yi Liu ,  Chia-Kai Chen ,  Wu-Hsiung Lin ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Wan-Yi Liu ,  Chia-Kai Chen ,  Wu-Hsiung Lin ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/78651 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor disposed on a substrate is provided. The thin film transistor includes a gate, a gate insulating layer, a silicon-rich channel layer, a source, and a drain. The gate is disposed on the substrate. The gate insulator is disposed over the gate. The silicon-rich channel layer is disposed above the gate, wherein the material of the silicon-rich channel layer is selected from a group consisting of silicon-rich silicon oxide (Si-rich SiOx), silicon-rich silicon nitride (Si-rich SiNx), silicon-rich silicon oxynitride (Si-rich SiOxNy), silicon-rich silicon carbide (Si-rich SiC) and silicon-rich silicon oxycarbide (Si-rich SiOC). The content (concentration) of silicon of the silicon-rich channel layer within a film depth between 10 nm to 170 nm ranges from about 1E23 atoms/cm3 to about 4E23 atoms/cm3. The source and the drain are connected with the silicon-rich channel layer.

摘要翻译： 设置在基板上的薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括栅极，栅极绝缘层，富硅沟道层，源极和漏极。 栅极设置在基板上。 栅极绝缘体设置在栅极上。 富硅沟道层设置在栅极上方，其中富硅沟道层的材料选自富硅氧化硅（富Si），富含硅的氮化硅（富Si） SiN x），富硅氧氮化硅（富Si的SiO x N y），富含硅的碳化硅（富Si的SiC）和富硅的碳氧化碳（富Si的SiOC）。 在10nm至170nm的膜深度内的富硅沟道层的硅含量（浓度）范围为约1E23原子/ cm3至约4E23原子/ cm3。 源极和漏极与富硅沟道层连接。