公开(公告)号：US09159566B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US14573242

申请日：2014-12-17

申请人： Intel Corporation

发明人： Mark T. Bohr

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/66 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： Some embodiments of the present invention include apparatuses and methods relating to NMOS and PMOS transistor strain.

摘要翻译： 本发明的一些实施例包括与NMOS和PMOS晶体管应变相关的装置和方法。

公开(公告)号：US08946016B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US13909792

申请日：2013-06-04

申请人： Intel Corporation

发明人： Mark T. Bohr

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： Some embodiments of the present invention include apparatuses and methods relating to NMOS and PMOS transistor strain.